CYPM13xx

Характеристики

Грузоподъёмность

нет данных

Вылет

нет данных

Повторяемость позиционирования

нет данных

Масса

нет данных

Степень защиты

нет данных

Характеристики из источника

Строки приведены так, как их печатает производитель: без перевода, пересчёта и сравнения.

すべての VDDD

25 °C (TA、)

источник 1

G G

35 V (1µF G G)

источник 2

_OUT_NGD 的

5 V (；)

источник 3

出力 LOW 電圧

3 mA

источник 1

出力 LOW 電圧

10 mA

источник 1

動作電圧範囲

5.5 V

источник 1

GND

10 V (L1, L2)

источник 2

SID.PD.HS-CSA.AC#2 Tdelay_scp_10A

10 A (モードでの SCP 遅延時 – – 300)

источник 1

dischg_ds<4:2> = 0)

20 V (NMOS ON resistance Ω)

источник 2

SID292 PSRR

1 kHz (で、リップル電圧が 70 85 – VDDD = 3.6V、高電力モード、)

источник 1

(VBUS_IN_NGDO = VBUS_IN_NGDO+10

5 V () V 下降至)

источник 3

dischg_ds<4:3> = 0)

20 V (NMOS オン時の抵抗)

источник 1

SID.PD.HS-CSA.DC#5b

30 V (with 60% tap point 27 – 33 –)

источник 2

准后 输入电压范围为

0 V (~ VDDA-0.2 V)

источник 3

セキュア ブートからユーザー プログラムへの制御移転時間

50 ms

источник 1

I2C output low current, 3

1.71 V (≤ VDDD ≤ 3.0 V,)

источник 2

态时的电阻 ( 输入电压范围为

0 V ~ 0.4 V ())

источник 3

SID.PD.VBUS_DISC#4 Ron4

20 V (NMOS 处于开启状态时 375 – 750 –)

источник 3

使⽤ SHA-2 256 位算法加密 64 KB 数据的时间

10 ms

источник 3

high supply range

2 mA (sink)

источник 2

VDD_RIPPLE_ Max allowed ripple on power

25 °C (TA, parasitic)

источник 2

証 てのユース ケース。VDDA >

2 V

источник 1

µA

25 °C

источник 1

SID.SWD#2 F_SWDCLK2

1.71 V (≤ VDDD ≤ 3.3 V – – 7 SWDCLK ≤ 1/3)

источник 3

出力 LOW 電圧

4 mA

источник 1

SID.PD.HS-CSA.DC#5a

20 V (with 10% tap point 18 – 22 –)

источник 2

IMO settling time when trim

25 °C (TA, All VDDD,)

источник 2

A 低电压范围

1.71 V (≤ VDDD≤ 3.0 V，)

источник 3

模型 ) 模型 )

± 8 kV (、空气放 型))

источник 3

出力 HIGH 電圧

1 mA

источник 1

SID.PD.cc_shvt.DC#7 Idac_3a

5 V (アドバタイズメント、3A での 303.6 – 356.4 –)

источник 1

SID.PD.HS-CSA.DC#3a Isense_ocp_2A

2 A (、3A、および 4A での OCP – ±15 – –)

источник 1

ns

3.3 V (VDDD、)

источник 1

VBUS_C_P0

50 V (R1 50V)

источник 2

Mode 2, medium µA

25 °C

источник 2

P11

10 V

источник 2

SID.PD.HS-CSA.DC#3 Isense_ocp_1A

1 A (での OCP 電流検出精度 – ±20 – –)

источник 1

SID.SWD#2 F_SWDCLK2

1.71 V (≤ VDDD ≤ 3.3 V – – 7)

источник 2

電源電圧

-40 °C (〜 +85°C TA、)

источник 1

唤醒，RP 和 RD 由 CPU 以

70 ms (的时间间隔进⾏连)

источник 3

⾼电压范围

3.0 V (≤ VDDD ≤ 5.5 V，)

источник 3

dischg_ds<4:2> = 0)

20 V (NMOS オン時の抵抗 Ω)

источник 1

dischg_ds<4:3> = 0)

20 V (NMOS ON resistance)

источник 2

_1.8 DC ~ 10 MHz )，

25 °C (TA，寄⽣电容 (CP))

источник 3

G G

35 V (G G)

источник 2

効、Rp と Rd は CPU による

70 ms (間隔で接続。)

источник 1

Fast Mode Plus,

3.0 V (≤ VDDD ≤ 5.5 V,)

источник 2

OUT_NGDO 耗状态 ( 被禁⽤ ) 时

5 V (；)

источник 3

SID.PD.VBUS_DISC#5 Ron5

20 V (NMOS オン時の抵抗 300 – 600 –)

источник 1

SID.PD.VBUS_DISC#2 Ron2

20 V (NMOS 处于开启状态时 750 – 1500 –)

источник 3

IMO_HOP_ FIMO variation range with TRIM

25 °C (TA, All VDDD,)

источник 2

dischg_ds<4> = 0)

20 V (NMOS ON resistance)

источник 2

高速ストロング モード

90/10 % (、)

источник 1

SID.SWD#1 F_SWDCLK1

3.3 V (≤ VDDD≤ 5.5 V – – 14 MHz SWDCLK ≤ 1/3)

источник 3

SID.PWR#1 VDDD – VSYS

-40 °C (〜 +85°C TA、)

источник 1

DC ~ 10 MHz

25 °C (TA，灵敏度 = 0.1pF)

источник 3

Mode 1, medium µA

25 °C

источник 2

RSA-3072 验证操作性能

25 ms

источник 3

dischg_ds<4:1> = 0)

20 V (NMOS ON resistance)

источник 2

态时的电阻 ( 输入电压范围为

0 V ~ 3.6 V ())

источник 3

SID.PD.VBUS_DISC#1 Ron1

20 V (NMOS 处于开启状态时 1500 – 3000 Ω –)

источник 3

効、Rp と Rd は CPU による

70 ms (間隔で接続。Rp、Rd)

источник 1

での周波数誤差

-25 °C (≤ TA ≤ 85°C)

источник 1

SID.I2C#29 IOL_I2C_SM I2C 输出低电流 3 – – mA 标准模式，

1.71 V (≤ VDDIO ≤ 5.5)

источник 3

SID.PD.HS-CSA.DC#1 Isense_scp

6 A (、10A での SCP 電流検出 – ±10 – –)

источник 1

出力 HIGH 電圧

4 mA

источник 1

SID.I2C#32 IOL_I2C_FM I2C output low current

1.71 V (≤ VDDIO ≤ 5.5 V,)

источник 2

RSA-3072 verify performance

25 ms

источник 2

SID.PD.HS-CSA.AC#2 Tdelay_scp_ 10 A 模式下的 SCP 延 – – 300

10 A (迟 (5 mV 过压值 ))

источник 3

G G

35 V (35V G G)

источник 1

SID.PD.HS-CSA.AC#2 Tdelay_scp_

10 A (模式下的 SCP 延 – – 300)

источник 3

_IN_NGDO 的 VBUS_IN_NGDO

5 V (;)

источник 3

SID.I2C#29 IOL_I2C_SM I2C 出力 LOW 電流 3 – – mA

5.5 V (、負荷 = CB_SM、VOL = 0.4V)

источник 1

G G

35 V

источник 2

O_P1

30 V ())

источник 1

.DC#7

3 A (的源电流)

источник 3

SID.PD.HS-CSA.AC#1 Tdelay_scp_6A

6 A (模式下的 SCP 延迟 – – 300 ns 由设计保证)

источник 3

mm）

0.65 mm ())

источник 3

SID.I2C#32 IOL_I2C_FM I2C 输出低电流 6 – – mA 快速模式，

1.71 V (≤ VDDIO ≤ 5.5)

источник 3

dischg_ds<4:1> = 0)

20 V (NMOS オン時の抵抗)

источник 1

(VBUS_IN_NGDO = RCP 事件

5 V () 通过 VBUS_CTRL_1 =)

источник 3

SID.ILO.DC#1 IILO1

32 kHz (での ILO 動作電流 – 0.3 1.05 µA –)

источник 1

SID.PD.VBUS_DISC#3 Ron3

20 V (NMOS 处于开启状态时 500 – 1000 –)

источник 3

SID321 IDACGAIN 满量程误差减去偏移 – –

±10 % (–)

источник 3

差异 ( 出厂调整后 )

-25 °C (≤ TA ≤ 85°C)

источник 3

SHA-2 256-bit over 64 KB

10 ms

источник 2

SID.PD.cc_shvt.DC#6 Idac_1p5a

5 V (アドバタイズメント、1.5A での 165.6 – 194.4 µA –)

источник 1

I/O CAPSENSE™、オペアンプ、

-40 °C (〜 +85°C TA、)

источник 1

64KB データに対する SHA-2 (256 ビット ) 性能

10 ms

источник 1

RSA-3072 検証性能

25 ms

источник 1

ピッチ )

0.5 mm (ピッチ ) 0.5mm ピッチ ) 0.5mm ピッチ ))

источник 1

O_P0

30 V ())

источник 1

_P0

30 V ())

источник 1

SID150 II2C2

400 kHz (でのブロック消費電流 – – 185 –)

источник 1

SID.SWD#1 F_SWDCLK1

3.3 V (≤ VDDD ≤ 5.5 V – – 14)

источник 2

SID.PD.VBUS_DISC#5 Ron5

20 V (NMOS 处于开启状态时 300 – 600 –)

источник 3

SID.PD.UVOV.AC#1 Tov_gate

0 V (閾値トリップから外部 NFET パ – – 50 µs –)

источник 1

SID149 II2C1

100 kHz (でのブロック消費電流 – – 60 –)

источник 1

SID.PD.HS-CSA.AC#1 Tdelay_scp_6A

6 A (モードでの SCP 遅延時間 – – 300)

источник 1

SID296 VN4 – 15 –

100 kHz (, power = Hi)

источник 2

s1 态时的电阻 ( 输入电压范围为

0 V ~ 0.4 V ())

источник 3

_P1

30 V ())

источник 1

VBUS_IN_CTRL_P0

50 V (R14 50V)

источник 1

Источники

1. CYPM13xx

   страница товара; от производителя; издатель: Infineon; редакция: 2026-10-03

   Где в источнике: すべての VDDD; 出力 LOW 電圧; 動作電圧範囲; SID.PD.HS-CSA.AC#2 Tdelay_scp_10A; SID292 PSRR; dischg_ds<4:3> = 0); - セキュア ブートからユーザー プログラムへの制御移転時間; 証 てのユース ケース。VDDA >; µA; 出力 HIGH 電圧; SID.PD.cc_shvt.DC#7 Idac_3a; SID.PD.HS-CSA.DC#3a Isense_ocp_2A; ns; SID.PD.HS-CSA.DC#3 Isense_ocp_1A; 電源電圧; dischg_ds<4:2> = 0); 効、Rp と Rd は CPU による; SID.PD.VBUS_DISC#5 Ron5; 高速ストロング モード; SID.PWR#1 VDDD – VSYS; での周波数誤差; SID.PD.HS-CSA.DC#1 Isense_scp; G G; SID.I2C#29 IOL_I2C_SM I2C 出力 LOW 電流 3 – – mA; O_P1; dischg_ds<4:1> = 0); SID.ILO.DC#1 IILO1; SID.PD.cc_shvt.DC#6 Idac_1p5a; I/O CAPSENSE™、オペアンプ、; - 64KB データに対する SHA-2 (256 ビット ) 性能; - RSA-3072 検証性能; ピッチ ); O_P0; _P0; SID150 II2C2; SID.PD.UVOV.AC#1 Tov_gate; SID149 II2C1; SID.PD.HS-CSA.AC#1 Tdelay_scp_6A; _P1; VBUS_IN_CTRL_P0

2. CYPM13xx

   технический лист; от производителя; издатель: Infineon; редакция: 2026-10-03

   Где в источнике: G G; GND; dischg_ds<4:2> = 0); SID.PD.HS-CSA.DC#5b; I2C output low current, 3; high supply range; VDD_RIPPLE_ Max allowed ripple on power; SID.PD.HS-CSA.DC#5a; IMO settling time when trim; VBUS_C_P0; Mode 2, medium µA; P11; SID.SWD#2 F_SWDCLK2; dischg_ds<4:3> = 0); G G; Fast Mode Plus,; IMO_HOP_ FIMO variation range with TRIM; dischg_ds<4> = 0); Mode 1, medium µA; dischg_ds<4:1> = 0); SID.I2C#32 IOL_I2C_FM I2C output low current; - RSA-3072 verify performance; G G; - SHA-2 256-bit over 64 KB; SID.SWD#1 F_SWDCLK1; SID296 VN4 – 15 –

3. CYPM13xx

   страница товара; от производителя; издатель: Infineon; редакция: 2026-10-03

   Где в источнике: _OUT_NGD 的; (VBUS_IN_NGDO = VBUS_IN_NGDO+10; 准后 输入电压范围为; 态时的电阻 ( 输入电压范围为; SID.PD.VBUS_DISC#4 Ron4; - 使⽤ SHA-2 256 位算法加密 64 KB 数据的时间; SID.SWD#2 F_SWDCLK2; A 低电压范围; 模型 ) 模型 ); 唤醒，RP 和 RD 由 CPU 以; ⾼电压范围; _1.8 DC ~ 10 MHz )，; OUT_NGDO 耗状态 ( 被禁⽤ ) 时; SID.PD.VBUS_DISC#2 Ron2; SID.SWD#1 F_SWDCLK1; DC ~ 10 MHz; - RSA-3072 验证操作性能; SID.PD.VBUS_DISC#1 Ron1; SID.I2C#29 IOL_I2C_SM I2C 输出低电流 3 – – mA 标准模式，; SID.PD.HS-CSA.AC#2 Tdelay_scp_ 10 A 模式下的 SCP 延 – – 300; SID.PD.HS-CSA.AC#2 Tdelay_scp_; _IN_NGDO 的 VBUS_IN_NGDO; .DC#7; SID.PD.HS-CSA.AC#1 Tdelay_scp_6A; mm）; SID.I2C#32 IOL_I2C_FM I2C 输出低电流 6 – – mA 快速模式，; (VBUS_IN_NGDO = RCP 事件; SID.PD.VBUS_DISC#3 Ron3; SID321 IDACGAIN 满量程误差减去偏移 – –; 差异 ( 出厂调整后 ); SID.PD.VBUS_DISC#5 Ron5; s1 态时的电阻 ( 输入电压范围为