CYPM1111

Характеристики

Грузоподъёмность

нет данных

Вылет

нет данных

Повторяемость позиционирования

нет данных

Масса

нет данных

Степень защиты

нет данных

Характеристики из источника

Строки приведены так, как их печатает производитель: без перевода, пересчёта и сравнения.

dischg_ds<4:2> = 0)

20 V (NMOS ON resistance)

источник 1

dischg_ds<4:1> = 0)

20 V (NMOS ON resistance)

источник 1

(trimmed)

25 °C (≤ TA ≤ 85°C)

источник 1

dischg_ds<4:3> = 0)

20 V (NMOS ON resistance)

источник 1

パッケージ (4 × 4 mm, (6 × 6 mm,

0.6 mm (ピッチ )/ 97-BGA)

источник 2

SID.GIO#49 FGPIO_OUT2

1.71 V (≤ VDDIO ≤ 3.3 V. Fast – – 16 MHz 90/10%, 25-pF load)

источник 1

Iocp_1A Rsense = 10 mΩ, 1A での – – %

±10 % (PD コントラクト OCP,)

источник 2

SID.GIO#48 FGPIO_OUT1

3.3 V (≤ VDDIO ≤ 5.5 V。 – – 16 MHz 90/10%, 25 pF 負荷)

источник 2

dischg_ds<4:3> = 0 の場合 )

20 V (NMOS オン抵抗)

источник 2

SID.DC.cc_shvt.2 vSwing_low –

0.075 V (–)

источник 1

給電流

25 °C

источник 2

LSRx

21.5 V (SBU_1)

источник 3

SID.VBUS.DISC.5 Ron5

20 V (NMOS オン抵抗 300 – 600 –)

источник 2

SID.GIO#48 FGPIO_OUT1

3.3 V (≤ VDDIO ≤ 5.5 V. Fast – – 16 MHz 90/10%, 25-pF load)

источник 1

dischg_ds<4> = 0)

20 V (NMOS ON resistance)

источник 1

SID.GIO#49 FGPIO_OUT2

1.71 V (≤ VDDIO ≤ 3.3 V。 – – 16 MHz 90/10%, 25 pF 負荷)

источник 2

programmable

1 A (PD contracts OCP)

источник 1

SID.DC.cc_shvt.6 Idac_1p5a

5 V (アドバタイズメント , 1.5 A 165.6 – 194.4 µA –)

источник 2

dischg_ds<4:1> = 0 の場合 )

20 V (NMOS オン抵抗)

источник 2

dischg_ds<4:2> = 0 の場合 )

20 V (NMOS オン抵抗)

источник 2

SID.SWD#2 F_SWDCLK2

1.8 V (≤ VDDIO ≤ 3.3V – – 7 MHz SWDCLK ≤ 1/3 CPU クロック)

источник 2

DC.csa_scp.45 Iocp_5A

3 A (, 4A, および 5A コン – – %)

источник 2

SID.GIO#50 FGPIO_OUT3

3.3 V (≤ VDDIO ≤ 5.5 V. Slow – – 7 MHz 90/10%, 25-pF load)

источник 1

SID.SWD#2 F_SWDCLK2

1.8 V (≤ VDDIO ≤ 3.3 V – – 7 MHz)

источник 1

Iocp_1A Rsense = 5 mΩ, 1A での – – %

±20 % (PD コントラクト OCP,)

источник 2

DC.csa_scp.44

1 A (PD contracts OCP set)

источник 3

Frequency variation at 48 MHz

2.7 V (≤ VDDD < 5.5 V. –)

источник 1

および 1.0 mm

0.55 mm (ピッチ ))

источник 2

pin. Keep trace length less than

2 inch

источник 1

OCP Trip threshold for

2 A (, 3A, 4A, and 5A PD)

источник 1

SID.SWD#1 F_SWDCLK1

3.3 V (≤ VDDIO ≤ 5.5V – – 14 MHz SWDCLK ≤ 1/3 CPU クロック)

источник 2

SID.GIO#51 FGPIO_OUT4

1.71 V (≤ VDDIO ≤ 3.3 V。 – – 3.5 MHz 90/10%, 25 pF 負荷)

источник 2

SID.GIO#50 FGPIO_OUT3

3.3 V (≤ VDDIO ≤ 5.5 V。 – – 7 MHz 90/10%, 25 pF 負荷)

источник 2

SID.DC.cc_shvt.7 Idac_3a

5 V (アドバタイズメント , 3 A で 303.6 – 356.4 µA –)

источник 2

SID.GIO#51 FGPIO_OUT4

1.71 V (≤ VDDIO ≤ 3.3 V. Slow – – 3.5 MHz 90/10%, 25-pF load)

источник 1

SID.SWD#1 F_SWDCLK1

3.3 V (≤ VDDIO ≤ 5.5 V – – 14 MHz)

источник 1

contracts with Rsense =

±10 % (130% of contract value)

источник 1

Источники

1. CYPM1111

   технический лист; от производителя; издатель: Infineon; редакция: 2026-10-03

   Где в источнике: dischg_ds<4:2> = 0); dischg_ds<4:1> = 0); (trimmed); dischg_ds<4:3> = 0); SID.GIO#49 FGPIO_OUT2; SID.DC.cc_shvt.2 vSwing_low –; SID.GIO#48 FGPIO_OUT1; dischg_ds<4> = 0); programmable; SID.GIO#50 FGPIO_OUT3; SID.SWD#2 F_SWDCLK2; Frequency variation at 48 MHz; pin. Keep trace length less than; OCP Trip threshold for; SID.GIO#51 FGPIO_OUT4; SID.SWD#1 F_SWDCLK1; contracts with Rsense =

2. CYPM1111

   страница товара; от производителя; издатель: Infineon; редакция: 2026-10-03

   Где в источнике: パッケージ (4 × 4 mm, (6 × 6 mm,; Iocp_1A Rsense = 10 mΩ, 1A での – – %; SID.GIO#48 FGPIO_OUT1; dischg_ds<4:3> = 0 の場合 ); 給電流; SID.VBUS.DISC.5 Ron5; SID.GIO#49 FGPIO_OUT2; SID.DC.cc_shvt.6 Idac_1p5a; dischg_ds<4:1> = 0 の場合 ); dischg_ds<4:2> = 0 の場合 ); SID.SWD#2 F_SWDCLK2; DC.csa_scp.45 Iocp_5A; Iocp_1A Rsense = 5 mΩ, 1A での – – %; および 1.0 mm; SID.SWD#1 F_SWDCLK1; SID.GIO#51 FGPIO_OUT4; SID.GIO#50 FGPIO_OUT3; SID.DC.cc_shvt.7 Idac_3a

3. CYPM1111

   страница товара; от производителя; издатель: Infineon; редакция: 2026-10-03

   Где в источнике: LSRx; DC.csa_scp.44