CYPM1011

Характеристики

Грузоподъёмность

нет данных

Вылет

нет данных

Повторяемость позиционирования

нет данных

Масса

нет данных

Степень защиты

нет данных

Характеристики из источника

Строки приведены так, как их печатает производитель: без перевода, пересчёта и сравнения.

(2.63 × 3.18mm, (6 × 6mm, 0.5mm

0.4 mm (ピッチ ) および)

источник 1

SID.MEM#3 FLASH_ERASE Row erase time – –

15.5 ms

источник 2

SID.ADC.7 SLEW_Max サンプリングされた電圧信号の変化率 – –

3 V (/ms –)

источник 1

SID.SWD#1 F_SWDCLK1

3.3 V ( VDDD  5.5 V – – 14 MHz)

источник 2

リーク電流

20 V (VBUS)

источник 1

VBUS_FET_CTRL_1 上

80 % (〜 20%, VBUS_FET_CTRL_1 と)

источник 1

SID.GD.9 I_leak_p1 VBUS_FET_CTRL_0 ピン上の – 0.003 – µA

+25 °C (TJ, 5V VDDD,)

источник 1

SID149 II2C1

100 kHz (でのブロック消費電流 – – 100 µA –)

источник 1

ウン抵抗値

+25 °C (TA, 1.4V 〜 VDDD)

источник 1

SID.VBUS.DISC.10 I16

20 V (NMOS オン時の 4 – 10 mA)

источник 1

リーク電流

20 V (VBU)

источник 1

Row program time after

25 °C (TA 55°C,)

источник 2

SID.VBUS.DISC.7 I2

20 V (NMOS オン時 0.4 – 2 mA)

источник 1

SID.VBUS.DISC.9 I8

20 V (NMOS オン時の 2 – 8 mA)

источник 1

(2.63 × 3.18 mm, (6 × 6 mm, 0.5 mm

0.4 mm (pitch) and)

источник 2

の出力スルーレート

20 % (〜 80% の範囲)

источник 1

and 48 MHz (trimmed)

85 °C

источник 2

SID234 TSTARTILO1 ILO 起動時間 – –

2 ms (特性評価で保証)

источник 1

SID150 II2C2

400 kHz (でのブロック消費電流 – – 135 µA –)

источник 1

SID.GD.10 I_leak_c1 VBUS_FET_CTRL_1 ピン上の – 0.003 – µA

+25 °C (TJ, 5V VDDD,)

источник 1

の出力スルーレート

80 % (〜 20% の範囲)

источник 1

VBUS_P_CTRL

20 V (VBUS)

источник 2

SID.VBUS.DISC.8 I4

20 V (NMOS オン時 0.9 – 4 mA 0.5V で計測)

источник 1

SID.VREG.2 VBUS_DETECT VBUS detect threshold voltage –

2.62 V (–)

источник 2

VDDD

3.3 V (内部レギュレータの出力。1µF コンデンサおよび 2 個)

источник 1

SID.SWD#2 F_SWDCLK2

2.7 V ( VDDD  3.3 V – – 7 MHz)

источник 2

VBUS_C_CTRL

20 V (VBUS)

источник 2

GPIO_20VT Pull-up

+25 °C (TA, 1.4 V to)

источник 2

SID.VBUS.DISC.6 I1

20 V (NMOS オン時 0.15 – 1 mA)

источник 1

Discharge rate of

80% to 20 % (, 50 KΩ tied between)

источник 2

( 消去 + プログラム ) すべての VDDD

25 °C (≤ TA ≤ 55°C,)

источник 1

VCCD

1.8 V (内部レギュレータの出力 ( 電源として使用するため)

источник 1

Источники

1. CYPM1011

   страница товара; от производителя; издатель: Infineon; редакция: 2026-10-03

   Где в источнике: (2.63 × 3.18mm, (6 × 6mm, 0.5mm; SID.ADC.7 SLEW_Max サンプリングされた電圧信号の変化率 – –; リーク電流; VBUS_FET_CTRL_1 上; SID.GD.9 I_leak_p1 VBUS_FET_CTRL_0 ピン上の – 0.003 – µA; SID149 II2C1; ウン抵抗値; SID.VBUS.DISC.10 I16; SID.VBUS.DISC.7 I2; SID.VBUS.DISC.9 I8; の出力スルーレート; SID234 TSTARTILO1 ILO 起動時間 – –; SID150 II2C2; SID.GD.10 I_leak_c1 VBUS_FET_CTRL_1 ピン上の – 0.003 – µA; SID.VBUS.DISC.8 I4; VDDD; SID.VBUS.DISC.6 I1; ( 消去 + プログラム ) すべての VDDD; VCCD

2. CYPM1011

   технический лист; от производителя; издатель: Infineon; редакция: 2026-10-03

   Где в источнике: SID.MEM#3 FLASH_ERASE Row erase time – –; SID.SWD#1 F_SWDCLK1; Row program time after; (2.63 × 3.18 mm, (6 × 6 mm, 0.5 mm; and 48 MHz (trimmed); VBUS_P_CTRL; SID.VREG.2 VBUS_DETECT VBUS detect threshold voltage –; SID.SWD#2 F_SWDCLK2; VBUS_C_CTRL; GPIO_20VT Pull-up; Discharge rate of