CY8CMBR2110

Характеристики

Грузоподъёмность

нет данных

Вылет

нет данных

Повторяемость позиционирования

нет данных

Масса

нет данных

Степень защиты

нет данных

Характеристики из источника

Строки приведены так, как их печатает производитель: без перевода, пересчёта и сравнения.

Overview

600 V/1200 V (ultra-soft diodes)

источник 1

the Checksum_RAM_xxx register (in the Operating mode) to

350 ms ((normal Noise Immunity) or 1000 ms (high Noise)

источник 2

buttons < 20 pF, Button Scan Rate =

541 ms (, with power consumption)

источник 2

GPOx LED

10 % (10% 10%)

источник 2

Power on

100 %

источник 2

Overview

12 V-40 V (N-channel power MOSFETs)

источник 1

GPO0 LED

10 % (10%)

источник 2

GPO1 LED

10 % (10%)

источник 2

hour, average button touch time of

1000 ms (, buzzer disabled, Button Touch)

источник 2

hour, average button touch time of

500 ms (, buzzer disabled, average Button)

источник 2

<= 350ms/ 300 100 300 100 100%

1000 ms (ms ms ms ms)

источник 2

Silicon carbide MOSFETs bare dies

400 V / 440 V (Silicon Carbide MOSFETs)

источник 1

Reduce supply voltage (valid range

1.71 V to 5.5 V ().)

источник 2

Brightness

0 % (0%)

источник 2

Overview

12 V (high-side switches)

источник 1

duration storage at temperatures above

85 °C (degrades reliability.)

источник 2

Automotive MOSFET

30 V to 800 V

источник 1

Источники

1. CY8CMBR2110

   страница товара; от производителя; издатель: Infineon; редакция: 2026-10-03

   Где в источнике: Overview; Silicon carbide MOSFETs bare dies; Automotive MOSFET

2. CY8CMBR2110

   технический лист; от производителя; издатель: Infineon; редакция: 2026-10-03

   Где в источнике: the Checksum_RAM_xxx register (in the Operating mode) to; buttons < 20 pF, Button Scan Rate =; GPOx LED; Power on; GPO0 LED; GPO1 LED; hour, average button touch time of; <= 350ms/ 300 100 300 100 100%; ■ Reduce supply voltage (valid range; Brightness; duration storage at temperatures above