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Модель

CY8C62x6 CY8C62x7

Производитель: Infineon

33
характеристик
1
источников

О модели

CY8C62x6 CY8C62x7 - модель производителя Infineon.

33 характеристики приведены словами производителя, без пересчёта.

Сведения на странице взяты из 1 источника, у каждого значения указан свой.

Характеристики

Грузоподъёмность
нет данных
Вылет
нет данных
Повторяемость позиционирования
нет данных
Масса
нет данных
Степень защиты
нет данных

Характеристики из источника

Строки приведены так, как их печатает производитель: без перевода, пересчёта и сравнения.

CM4スリープ, CM0+スリープ フラッシュキャッシュが有効な Dhrystone
0.42–0.76 mA (0.65–1.1 mA)

источник 1

SID214L F_SWDCLK2L
1.71 V (≤ VDDD ≤ 3.3V6 – – 12 MHz ULP モード。)

источник 1

SID231 IILO2
32 kHz (での ILO 動作電流 – 0.3 0.7 µA –)

источник 1

CM0+スリープ, CM4オフ
0.41–0.62 mA (0.6–0.9 mA)

источник 1

CM4アクティブ, CM0+スリープ
0.65–1.6 mA (0.8–2.2mA)

источник 1

ドライバーの取得時間。
0.05 % (以下で安定)

источник 1

A エンド
2.7 V (), (VREF=2.13 V, VDDA >)

источник 1

SID292 PSRR
1 kHz (、10 mV リップル時 70 85 – dB VDDA ≥ 2.7 V)

источник 1

ち下り時間。VDD の 10% 〜 90%
≤2.7 V

источник 1

イクル 60/40
90/10 % (、負荷 25)

источник 1

SID318 IDD_kHz
32 kHz (水晶でのブロック動作電流 – 0.38 1 µA –)

источник 1

れたときの電流引き込みを最小限に抑えます。4.7 kΩ 〜 100 kΩ が標準です。
1.7 to 3.6 V

источник 1

SID268 TLCLKDUTY LCLK デューティ比 (HIGH 時の
40 % (– 60% % –)

источник 1

SID319 F_kHz
32 kHz (の周波数 – 32.768 – kHz –)

источник 1

CM4アクティブ, CM0+スリープ
0.9–6.9 mA (1.5–8.6 mA)

источник 1

SID214 F_SWDCLK2
1.71 V (≤ VDDD ≤ 3.6V – – 25 MHz LP モード。)

источник 1

は、VDDD に接続されます。I/O ポート 0 に電力を供給します。
1.7 to 3.6 V

источник 1

VBACKUP
32 kHz (WCO と RTC を含むバックアップドメインの電源。Figure 15 に示すように、バッテリまた)

источник 1

イクル 60/40
90/10 % (、負荷 15)

источник 1

CM4/CM0+ CPU アクティブ / スリープモード
0.6–0.7 mA (1.1–1.1 mA)

источник 1

CM4スリープ, CM0+スリープ フラッシュキャッシュが有効な Dhrystone
0.7–1.5 mA (1.3–2.2 mA)

источник 1

時間 ( アクティブから High-Z)
0.9 V ((ULP) モード動作の JTAG バウンダリー スキャン パラメーター)

источник 1

エンド 2.7 V), (VREF=2.13 V, VDDA >
2.7 V ())

источник 1

の BOD トリップ電圧
1.54 V (未満の VDDD)

источник 1

電力 = 高 , VDDA ≥
2.7 V

источник 1

MHz XTAL
32.768 kHz (XTAL)

источник 1

SID149 II2C1
100 kHz (でのブロック消費電流 – – 30 µA –)

источник 1

ち上り時間。VDD の 10% 〜 90%
≤2.7 V

источник 1

SID150 II2C2
400 kHz (でのブロック消費電流 – – 80 µA –)

источник 1

JTAG バウンダリー スキャン パラメーター
1.1 V ((LP) モード動作の JTAG バウンダリー スキャン パラメーター)

источник 1

CM0+スリープ, CM4オフ
0.7–1.3 mA (1.3–2 mA)

источник 1

すべて
260 °C (30 秒)

источник 1

エンド
2.7 V (), (VREF=2.13 V, VDDA >)

источник 1

Источники

  1. CY8C62x6, CY8C62x7

    технический лист; от производителя; издатель: Infineon; редакция: 2026-10-03

    Где в источнике: CM4スリープ, CM0+スリープ フラッシュキャッシュが有効な Dhrystone; SID214L F_SWDCLK2L; SID231 IILO2; CM0+スリープ, CM4オフ; CM4アクティブ, CM0+スリープ; ドライバーの取得時間。; A エンド; SID292 PSRR; ち下り時間。VDD の 10% 〜 90%; イクル 60/40; SID318 IDD_kHz; れたときの電流引き込みを最小限に抑えます。4.7 kΩ 〜 100 kΩ が標準です。; SID268 TLCLKDUTY LCLK デューティ比 (HIGH 時の; SID319 F_kHz; SID214 F_SWDCLK2; は、VDDD に接続されます。I/O ポート 0 に電力を供給します。; • VBACKUP; CM4/CM0+ CPU アクティブ / スリープモード; 時間 ( アクティブから High-Z); エンド 2.7 V), (VREF=2.13 V, VDDA >; の BOD トリップ電圧; 電力 = 高 , VDDA ≥; MHz XTAL; SID149 II2C1; ち上り時間。VDD の 10% 〜 90%; SID150 II2C2; JTAG バウンダリー スキャン パラメーター; すべて; エンド

Производитель и семейство

Производитель
Infineon

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