RoboMap
Тема оформления
Модель

CY8C45xx

Производитель: Infineon

26
характеристик
3
источников

О модели

CY8C45xx - модель производителя Infineon.

26 характеристик приведены словами производителя, без пересчёта.

Сведения на странице взяты из 3 источников, у каждого значения указан свой.

Характеристики

Грузоподъёмность
нет данных
Вылет
нет данных
Повторяемость позиционирования
нет данных
Масса
нет данных
Степень защиты
нет данных

Характеристики из источника

Строки приведены так, как их печатает производитель: без перевода, пересчёта и сравнения.

in Ultra-low-power mode
40 °C

источник 1

低功耗操作的电压范围
1.71 V ~ 5.5 V

источник 1

除非另有说明,所有规格均适用于–40°C≤TA≤105°C 和 TJ≤125°C。规格有效期为
1.71 V (至 5.5 V,除非另有说明。)

источник 1

All
260 °C (30 seconds)

источник 2

Cload = 25 pF
3.3 V (VDDD,)

источник 2

µA
100 kHz

источник 2

SID75 FGPIOUT2
3.3 V (– – 16.7 MHz)

источник 2

mode
40 °C

источник 1

µA
400 kHz

источник 2

ș2
11 ° (12° 13°)

источник 2

SID_DS_13 VOS_HI_M1 Mode 1, High current – 5 – mV
0.2 V (to VDDA-0.2 V)

источник 1

SID245 FGPIOUT4
3.3 V (– – 3.5 MHz)

источник 2

power supply, DC to 10 MHz
25 °C (TA,)

источник 1

GPIO FOUT; 1.71 VVDDD
90/10 % (, 25 pF load,)

источник 2

SID_DS_18 VOS_LOW_M2 Mode 2, Low current – 5 – mV
0.2 V (to VDDA-0.2 V)

источник 1

GPIO FOUT; 3.3 V  VDDD 5.5 V
90/10 % (, 25 pF load,)

источник 2

SID213 F_SWDCLK1
3.3 V (≤ VDD ≤ 5.5 V – – 14)

источник 1

supply, DC to 10 MHz
25 °C (TA, Sensitivity =)

источник 2

SID_DS_16 VOS_HI_M2 Mode 2, High current – 5 – mV
0.2 V (to VDDA-0.2 V)

источник 1

SID_DS_15 VOS_LOW_M1 Mode 1, Low current – 5 – mV
0.2 V (to VDDA-0.2 V)

источник 1

VCCD
1.8 V

источник 3

SID_DS_17 VOS_MED_M2 Mode 2, Medium current – 5 – mV
0.2 V (to VDDA-0.2 V)

источник 1

SID214 F_SWDCLK2
1.71 V (≤ VDD ≤ 3.3 V – – 7)

источник 1

SID_DS_14 VOS_MED_M1 Mode 1, Medium current – 5 – mV
0.2 V (to VDDA-0.2 V)

источник 1

All
260 °C (30 s)

источник 1

Источники

  1. CY8C45xx

    технический лист; от производителя; издатель: Infineon; редакция: 2026-10-03

    Где в источнике: in Ultra-low-power mode; • 低功耗操作的电压范围; 除非另有说明,所有规格均适用于–40°C≤TA≤105°C 和 TJ≤125°C。规格有效期为; mode; SID_DS_13 VOS_HI_M1 Mode 1, High current – 5 – mV; power supply, DC to 10 MHz; SID_DS_18 VOS_LOW_M2 Mode 2, Low current – 5 – mV; SID213 F_SWDCLK1; SID_DS_16 VOS_HI_M2 Mode 2, High current – 5 – mV; SID_DS_15 VOS_LOW_M1 Mode 1, Low current – 5 – mV; SID_DS_17 VOS_MED_M2 Mode 2, Medium current – 5 – mV; SID214 F_SWDCLK2; SID_DS_14 VOS_MED_M1 Mode 1, Medium current – 5 – mV; All

  2. CY8C45xx

    страница товара; от производителя; издатель: Infineon; редакция: 2026-10-03

    Где в источнике: ș1; All; Cload = 25 pF; µA; SID75 FGPIOUT2; ș2; SID245 FGPIOUT4; GPIO FOUT; 1.71 VVDDD; GPIO FOUT; 3.3 V  VDDD 5.5 V; supply, DC to 10 MHz

  3. CY8C45xx

    страница товара; от производителя; издатель: Infineon; редакция: 2026-10-03

    Где в источнике: VCCD

Производитель и семейство

Производитель
Infineon

Нашли ошибку в данных? Сообщите нам, и мы проверим источник.