RoboMapХарактеристики
- Грузоподъёмность
- нет данных
- Вылет
- нет данных
- Повторяемость позиционирования
- нет данных
- Масса
- нет данных
- Степень защиты
- нет данных
Характеристики из источника
Строки приведены так, как их печатает производитель: без перевода, пересчёта и сравнения.
- SID_DS_24 IOUT_LOW_M2 模式 2，低电流 – 0.5 – mA 输出电压范围为
- 0.5 V (到)
- SID182 FRET 闪存数据保持时间。TA ≤ 20 – – 年 由特性决定。
- 55 °C (，100 k 个编程 / 擦)
- SID237 FILOTRIM1 调整后的频率为 32 kHz 15 32 50 kHz 调整范围为
- ±60 % (。)
- SID_DS_19 IOUT_HI_M1 模式 1，高电流 – 10 – mA 输出电压范围为
- 0.5 V (到 VDDA-0.5 V)
- 耗 = 高，VDDA ≥
- 2.7 V
- SID296 VN4 参考输入， – 15 – nV/rtHz
- 100 kHz (，功耗 = 高)
- 时 VDDD ≥ 2.2 V, T >
- 0 °C (时 VDDD ≥ 1.8 V)
- SID214 F_SWDCLK2
- 1.71 V (≤ VDD ≤ 3.3 V – – 7 MHz SWDCLK ≤ CPU 时)
- 除非另有说明，否则所有规范的适用条件都是
- -40 °C (≤ TA ≤ 105 °C，且 TJ ≤ 125 °C。除非另有说明，否则)
- SID_DS_23 IOUT_MED_M2 模式 2，中等电流 – 1 – mA 输出电压范围为
- 0.5 V (到)
- SID323 Vusb_3 为 USB 操作提供的器件 2.85 –
- 3.6 V (配置了 USB 并旁路)
- CY8C
- 4 A (B C D E F - S XYZ)
- SID321 Vusb_5 为 USB 操作提供的器件 4.5 –
- 5.5 V (配置了 USB 并启用)
- 驱动模式
- 3.3 V (，)
- SID_DS_21 IOUT_LOW_M1 模式 1，低电流 – 4 – mA 输出电压范围为
- 0.5 V (到 VDDA-0.5 V)
- SID295 VN3 参考输入， – 28 – nV/rtHz
- 10 kHz (，功耗 = 高)
- SID213 F_SWDCLK1
- 3.3 V (≤ VDD ≤ 5.5 V – – 14 MHz SWDCLK ≤ CPU 时)
- SID182A 闪存数据保持时间。TA ≤ 10 – – 年 由特性决定。
- 85 °C (，10 k 个编程 / 擦除)
- SID_DS_22 IOUT_HI_M2 模式 2，高电流 – 1 – mA 输出电压范围为
- 0.5 V (到)
- SID182B FRETQ 闪存数据保持时间。TA ≤ 10 20 – 年 由特性决定
- 105 °C (, 10 k 编程 / 擦除周)
- SID322 Vusb_3.3 为 USB 操作提供的器件 3.15 –
- 3.6 V (配置了 USB 并旁路)
- IMO 的频率为 24 MHz
- 25 °C
- GBW 负载 = 20 pF， – – – –
- 0.1 mA (。VDDA =)
- 式。
- 2.2 V (, T > 0 °C 时)
- 强驱动模式
- 3.3 V (，)
- 强驱动模式
- 5.5 V (，)
- SID_DS_20 IOUT_MED_M1 模式 1，中等电流 – 10 – mA 输出电压范围为
- 0.5 V (到 VDDA-0.5 V)
- 驱动模式
- 5.5 V (，)
Источники
- CY8C4248
технический лист; от производителя; издатель: Infineon; редакция: 2026-10-03
Где в источнике: SID_DS_24 IOUT_LOW_M2 模式 2，低电流 – 0.5 – mA 输出电压范围为; SID182 FRET 闪存数据保持时间。TA ≤ 20 – – 年 由特性决定。; SID237 FILOTRIM1 调整后的频率为 32 kHz 15 32 50 kHz 调整范围为; SID_DS_19 IOUT_HI_M1 模式 1，高电流 – 10 – mA 输出电压范围为; 耗 = 高，VDDA ≥; SID296 VN4 参考输入， – 15 – nV/rtHz; 时 VDDD ≥ 2.2 V, T >; SID214 F_SWDCLK2; 除非另有说明，否则所有规范的适用条件都是; SID_DS_23 IOUT_MED_M2 模式 2，中等电流 – 1 – mA 输出电压范围为; SID323 Vusb_3 为 USB 操作提供的器件 2.85 –; CY8C; SID321 Vusb_5 为 USB 操作提供的器件 4.5 –; 驱动模式; SID_DS_21 IOUT_LOW_M1 模式 1，低电流 – 4 – mA 输出电压范围为; SID295 VN3 参考输入， – 28 – nV/rtHz; SID213 F_SWDCLK1; SID182A 闪存数据保持时间。TA ≤ 10 – – 年 由特性决定。; SID_DS_22 IOUT_HI_M2 模式 2，高电流 – 1 – mA 输出电压范围为; SID182B FRETQ 闪存数据保持时间。TA ≤ 10 20 – 年 由特性决定; SID322 Vusb_3.3 为 USB 操作提供的器件 3.15 –; IMO 的频率为 24 MHz; GBW 负载 = 20 pF， – – – –; 式。; 强驱动模式; SID_DS_20 IOUT_MED_M1 模式 1，中等电流 – 10 – mA 输出电压范围为