CY8C41xx

Характеристики

Грузоподъёмность

нет данных

Вылет

нет данных

Повторяемость позиционирования

нет данных

Масса

нет данных

Степень защиты

нет данных

Характеристики из источника

Строки приведены так, как их печатает производитель: без перевода, пересчёта и сравнения.

High current

0.5 V (to VDDA – 0.5 V)

источник 1

SID301 TPD2 応答時間。電力 = 中 – 500 – ⼊力は

0.2 V (〜 VDDA-0.2 V)

источник 2

current Vbias = 5 V

25 °C

источник 3

S Automotive (AEC-Q100

–: 40°C to +105 °C ())

источник 4

IOUT_MAX VDDA = >

2.7 V (, 500)

источник 4

Fall time in slow strong

3.3 V (VDDD,)

источник 5

SID214 F_SWDCLK2

1.71 V ( VDD  3.3 V – – 7)

источник 5

SID213 F_SWDCLK1

3.3 V (≤ VDD ≤ 5.5 V – – 14 MHz)

источник 6

SID182B –

105 °C (, 10K P/E cycles, ≤ 10 – 20 Years –)

источник 6

voltage low

3 V (VDDD)

источник 4

SID_DS_17 VOS_MED_M2 モード 2、中電流 – 5 – トリム後、25°C、

0.2 V (〜 VDDA-0.2 V)

источник 2

图 10

40 L (QFN 6×6×0.6 MM LR40A/LQ40A 4.6×4.6 E-PAD（SAWN）封装外形（PG-VQFN-)

источник 3

SID237 FILOTRIM1

32 kHz (trimmed frequency 15 32 50 kHz)

источник 1

ripple),

25 °C (TA,)

источник 4

supply, 1

25 °C (TA,)

источник 4

trimmed

0 V (to VDDA – 0.2 V)

источник 7

BID194[5] TRESETWAKE 从复位释放到唤醒的时间 – –

2.7 ms (–)

источник 8

Vbias = 5 V

50 Hz (25°C)

источник 6

SID273 GBW_MED power = med 3 – – MHz

0.2 V (to VDDA-0.2 V)

источник 6

ripple mode, input is

0.2 V (to)

источник 4

SID_DS_13 VOS_HI_M1 モード 1、⾼電流 – 5 – mV トリム後、25°C、

0.2 V (〜 VDDA-0.2 V)

источник 2

SID_DS_14 VOS_MED_M1 モード 1、中電流 – 5 – トリム後、25°C、

0.2 V (〜 VDDA-0.2 V)

источник 2

I2C 唤醒，WDT 使能 – 2.5 180 µA

85 °C

источник 9

GPIO FOUT;

90/10 % (, 25 pF load,)

источник 5

SID213 F_SWDCLK1

3.3 V (≤ VDD ≤ 5.5 V – – 14 MHz SWDCLK ≤ 1/3 CPU)

источник 3

SID245 FGPIOUT4

3.3 V (– – 3.5 MHz)

источник 10

low power mode

50 Hz

источник 5

SID280 IOUT_MAX_LO – –

0.5 V

источник 8

SID149 II2C1 consumption at – – 50 –

100 kHz

источник 5

frequency;

1.71 V (≤ VDDD ≤ 5.5 V)

источник 3

Rise time in slow strong

3.3 V (VDDD, Cload = 25 pF,)

источник 7

SID295 VN3

10 kHz (, – 28 – nV/rtHz are at 0.2 V to)

источник 7

flank))

9.0 × 9.0 × 0.9 mm ((7.70 × 7.70 mm E-Pad (Dimple)

источник 5

voltage range from

0.5 V (to)

источник 1

power supply, DC to 10

25 °C (TA, Sensitivity =)

источник 6

SID75 FGPIOUT2

3.3 V (– – 16.7 25 pF，60/40 占空)

источник 9

SID_DS_4 IDD_HI_M2

25 °C

источник 7

SID65 IIL

25 °C (，VDDD =)

источник 9

Low current

0.2 V (to VDDA – 0.2 V)

источник 7

40 to +125°C

-40 to +85 °C

источник 4

CPU 的运⾏速度为 24 MHz

5.5 V (时)

источник 8

Voltage range of

1.8 V ± 5 % (or)

источник 7

全部

260 °C (30 秒)

источник 8

ș2

11 ° (12° 13°)

источник 11

SID150 II2C2

400 kHz (でのブロック – – 135 –)

источник 2

VDD = 4.5 V to 5.5 V, 375 ksps

125 °C ( TA  150°C)

источник 7

SID214 F_SWDCLK2

1.71 V (≤ VDD ≤ 3.3 V – – 7 CPU 时钟频率的)

источник 8

SID213 F_SWDCLK1

3.3 V (≤ VDD ≤ 5.5 V – – 14 CPU 时钟频率的)

источник 8

中等电流 10 围为0.5 V ~ VDDA–

0.5 V

источник 8

SID274 GBW_LO power = lo – 1 – MHz

0.2 V (to VDDA-0.2 V)

источник 6

SID76 FGPIOUT3

3.3 V (VDDD 5.5 V – – 7 MHz)

источник 5

comparators on

5.5 V (.)

источник 3

mode

1 V

источник 4

ns

3.3 V (VDDD, Cload = 25 pF,)

источник 7

功耗 = 中 500 ns 围为0.2 V ~ VDDA–

0.2 V

источник 8

GPIO FOUT；1.71 V ≤ VDDD ≤

90/10 % (，Cload =)

источник 9

e sensor

+125 °C

источник 4

operation

5.5 V

источник 5

消去サイクル =1 万回、TA ≥

85 °C (時は 3 年以下)

источник 2

Vbias = 3.3 V

50 Hz (25°C)

источник 6

current Vbias = 3.3 V

50 Hz (, 25°C)

источник 5

variation at

105 °C

источник 4

VDD = 3 V to 4.5 V, 300 ksps

125 °C ( TA  150°C)

источник 7

TJA Package θJA

40 L (QFN – 17.8 – –)

источник 3

时间

3.3 V (VDDD，)

источник 8

current Vbias = 3.3 V

25 °C

источник 3

High current

0.2 V (to VDDA – 1.5 V)

источник 1

输出低电平电压

4 mA

источник 8

voltage low

1.8 V (VDDD)

источник 4

current

50 Hz (25°C)

источник 4

power supply, DC to

25 °C (TA, Sensitivity =)

источник 11

製品向け

0 °C (〜 85°C、拡張 IMO の拡)

источник 2

GPIO FOUT；3.3 V ≤ VDDD ≤

90/10 % (，Cload =)

источник 9

SID214 F_SWDCLK2

1.71 V (≤ VDD ≤ 3.3 V – – 7 SWDCLK は CPU クロック)

источник 2

Input offset voltage,

125 °C ( TA  150°C,)

источник 7

VDDA =>

2.7 V

источник 4

SID_DS_6 IDD_LOW_M2

25 °C

источник 7

frequency;

1.71 V (≤)

источник 4

输入漏电流 ( 绝对值 ) – – 2 nA

3.0 V

источник 9

快速强驱动模式

90/10 % (，load = 25)

источник 8

除非另有说明，所有规格均适用于–40°C≤TA≤105°C 和 TJ≤125°C。规格有效期为

1.71 V (至 5.5 V，除非另有说明。)

источник 6

SID_DS_3 IDD_LOW_M1

25 °C

источник 7

⾼速ストロング モードでの⽴

3.3 V (VDDD,)

источник 2

低功耗操作的电压范围

1.71 V ~ 5.5 V

источник 8

Medium current

0.5 V (to VDDA – 0.5 V)

источник 1

All

260 °C (30 s)

источник 6

VDD = 1.71 V to 3 V, 150 ksps

125 °C ( TA  150°C)

источник 7

Frequency variation

±3 % (if TA > 85°C and)

источник 1

SID_DS_1 IDD_HI_M1

25 °C

источник 7

≤ 60/40 duty

5.5 V (cycle)

источник 4

输出高电平电压

1 mA

источник 8

SID182[9] FRET

55 °C (，10 万个编程 / 擦 20 – – –)

источник 9

ratio

125 °C ( TA  150°C)

источник 7

SID294 VN2

1 kHz (, – 72 – are at 0.2 V to)

источник 7

All packages

260 °C (30 seconds)

источник 1

IOUT VDDA =

1.71 V (, 500)

источник 4

SID150 II2C2 consumption at – – 135 –

400 kHz (µA)

источник 5

wettable flank package))

7.0 × 7.0 × 0.9 mm ((5.5 × 5.5 mm E-Pad (Wettable)

источник 5

SID74 FGPIOUT1

3.3 V ( VDDD 5.5 V – – 33)

источник 5

输出高电平电压

3 V

источник 8

SID74 FGPIOUT1

3.3 V (≤ VDDD ≤ 5.5 V – – 33 25 pF，60/40 占空)

источник 9

低速ストロング モードでの⽴

3.3 V (VDDD,)

источник 2

Medium current

0.2 V (to VDDA – 1.5 V)

источник 1

SID75 FGPIOUT2

1.71 V (VDDD 3.3 V – – 16.7)

источник 5

– µA T = –40 °C 到 60 °C

40 °C (到 60 °C)

источник 9

VCCD

1.8 V

источник 7

SID182B –

105 °C (, 一万次编程 / 擦)

источник 9

SID296 VN4

100 kHz (, – 15 – are at 0.2 V to)

источник 7

Voltage range of

1.8 V ± 5 % (or 1.8 V to)

источник 5

trimmed

125 °C ( TA  150°C)

источник 7

GPIO FOUT; 1.71 V≤ VDDD≤ 3.3 V

90/10 % (, 25 pF load,)

источник 6

pF,

0.1 mA (.)

источник 4

Rise time in slow strong

3.3 V (VDDD,)

источник 5

SID_DS_2 IDD_MED_M1

25 °C

источник 7

Rise time in fast strong

3.3 V (VDDD,)

источник 5

SID296 VN4

100 kHz (, – 15 – nV/rtHz –)

источник 1

leakage

3.0 V

источник 4

dB

0.2 V

источник 8

T = –40°C to 60°C

60 °C

источник 10

SID_DS_5 IDD_MED_M2

25 °C

источник 7

[13?14] FIMOTOL1 和 48 MHz ( 经过校

105 °C (。用于增)

источник 8

GBW VDDA =

2.7 V

источник 4

SID302 TPD3 応答時間。電力 = 低 – 2500 – ⼊力は

0.2 V (〜 VDDA-0.2 V)

источник 2

VDDA-0.2 V, Output is

0.2 V (to VDDA-0.2 V)

источник 11

功耗 = 高 nV/rtHz 围为0.2 V ~ VDDA–

0.2 V

источник 8

GPIO 的输出频率 (FOUT) ；

90/10 % (，Cload =)

источник 9

SID76 FGPIOUT3

3.3 V (≤ VDDD ≤ 5.5 V – – 7)

источник 8

current Vbias = 5 V

50 Hz (, 25°C)

источник 5

SID245 FGPIOUT4

3.3 V (– – 3.5 25 pF，60/40 占空)

источник 9

_Int med

0.25 V (to)

источник 4

µA

25 °C

источник 8

GPIO FOUT; 3.3 V ≤ VDDD ≤ 5.5 V

90/10 % (, 25 pF load,)

источник 6

SID293 VN1

1 Hz (–1 GHz, – 94 – µVrms –)

источник 1

SID182A[9] –

85 °C (，一万次编程 / 擦除 10 – – –)

источник 9

–40°C  TA  125°C

3.3 V (VDDD, Cload = 25 pF,)

источник 7

SID98 A_GAINERR Gain error – –

±0.1 %

источник 7

SID288A VOS_TR Offset voltage, trimmed – ±1 – mV

0 V (to VDDA-0.2 V)

источник 6

SID288B VOS_TR Offset voltage, trimmed – 2 –

0 V (to VDDA – 0.2 V)

источник 5

Hz - 1

0.2 V (to)

источник 4

围为 0.5 V 到 VDDA

-0.5 V

источник 9

comparator

125 °C

источник 4

operation

1.8 V to 5.5 V

источник 7

BID27

40 L (QFN 6 × 6 × 0.6-mm height with 0.5-mm pitch 001-80659)

источник 3

SID288 VOS_TR Offset voltage, trimmed –1.0 0.5 1.0

0 V (to VDDA – 0.2 V)

источник 5

SID213 F_SWDCLK1

3.3 V (≤ VDD ≤ 5.5 V – – 14 SWDCLK は CPU クロック)

источник 2

can be anywhere in the range of

1.8 V to 5.5 V

источник 7

Medium current

0.2 V (to VDDA – 0.2 V)

источник 7

Low current

0.5 V (to VDDA – 0.5 V)

источник 1

frequency

48 kHz

источник 4

SID75 FGPIOUT2

3.3 V (– – 16.7 MHz)

источник 10

SID_DS_18 VOS_LOW_M2 モード 2、低電流 – 5 – トリム後、25°C、

0.2 V (〜 VDDA-0.2 V)

источник 2

SID_DS_10 GBW_HI_M2 模式 2，高电流 – 0.5 –

0.2 V

источник 8

of operation

5.5 V

источник 3

GPIO FOUT; 1.71 VVDDD

90/10 % (, 25 pF load,)

источник 10

VDDA-0.2 V、出力は

0.2 V (〜 VDDA-0.2 V)

источник 2

Low current

0.2 V (to VDDA – 1.5 V)

источник 1

All

260 °C (30 seconds)

источник 5

SID294 VN2

1 kHz (, – 72 – nV/rtHz –)

источник 1

SID213 F_SWDCLK1

3.3 V ( VDD  5.5 V – – 14)

источник 5

ns

3.3 V (VDDD,)

источник 5

ș1

0 °

источник 11

すべて

260 °C (30 秒)

источник 2

SID300 TPD1 応答時間。電力 = ⾼ – 150 – ns ⼊力は

0.2 V (〜 VDDA-0.2 V)

источник 2

variation at

125 °C

источник 4

Cload = 25 pF

3.3 V (VDDD,)

источник 6

SID214 F_SWDCLK2

1.71 V (≤ VDD ≤ 3.3 V – – 7 SWDCLK ≤ 1/3 CPU)

источник 3

All use cases. VDDA >

2 V (.)

источник 6

I2C 唤醒，WDT 使能 – 2.5 125 µA

85 °C

источник 9

Figure 6

1.8 V (〜 5.5 V の外部電源 ( 内部レギュレータが有効 ))

источник 2

SID272 GBW_HI power = hi 6 – – MHz

0.2 V (to VDDA-0.2 V)

источник 6

on; T = –

40°C to 60 °C

источник 4

SID296 VN4

100 kHz (， – 15 –)

источник 8

mode

125 °C ( TA  150°C)

источник 7

VOUT VDDA=>

2.7 V

источник 4

and WDT

60 °C

источник 4

SID_DS_16 VOS_HI_M2 モード 2、⾼電流 – 5 – トリム後、25°C、

0.2 V (〜 VDDA-0.2 V)

источник 2

High current

0.2 V (to VDDA – 0.2 V)

источник 7

power = hi

0.2 V (to VDDA-0.2 V)

источник 6

– GBW

0.1 mA (, –)

источник 7

range of

3.3 V±10 % (,)

источник 4

lo, Iload = -0.2

0.1 mA

источник 4

operation

5.5 V ±10 %

источник 4

trimmed mV

125 °C ( TA  150°C)

источник 7

SID245 FGPIOUT4

1.71 V (VDDD 3.3 V – – 3.5)

источник 5

Input leakage

25 °C (, VDDD = 3.0 V.)

источник 1

SID295 VN3

10 kHz (, – 28 – nV/rtHz –)

источник 1

E Automotive (AEC-Q100

–: 40°C to +125 °C ())

источник 4

SID_DS_15 VOS_LOW_M1 モード 1、低電流 – 5 – トリム後、25°C、

0.2 V (〜 VDDA-0.2 V)

источник 2

High, VDDA =

2.7 V

источник 3

SID214 F_SWDCLK2

1.71 V (≤ VDD ≤ 3.3 V – – 7 MHz)

источник 6

SID149 II2C1

100 kHz (でのブロック – – 50 –)

источник 2

Источники

1. CY8C41xx

   страница товара; от производителя; издатель: Infineon; редакция: 2026-10-03

   Где в источнике: High current; SID237 FILOTRIM1; voltage range from; Medium current; Frequency variation; All packages; SID296 VN4; SID293 VN1; Low current; SID294 VN2; Input leakage; SID295 VN3

2. CY8C41xx

   страница товара; от производителя; издатель: Infineon; редакция: 2026-10-03

   Где в источнике: SID301 TPD2 応答時間。電力 = 中 – 500 – ⼊力は; SID_DS_17 VOS_MED_M2 モード 2、中電流 – 5 – トリム後、25°C、; SID_DS_13 VOS_HI_M1 モード 1、⾼電流 – 5 – mV トリム後、25°C、; SID_DS_14 VOS_MED_M1 モード 1、中電流 – 5 – トリム後、25°C、; SID150 II2C2; 消去サイクル =1 万回、TA ≥; 製品向け; SID214 F_SWDCLK2; ⾼速ストロング モードでの⽴; 低速ストロング モードでの⽴; SID302 TPD3 応答時間。電力 = 低 – 2500 – ⼊力は; SID213 F_SWDCLK1; SID_DS_18 VOS_LOW_M2 モード 2、低電流 – 5 – トリム後、25°C、; VDDA-0.2 V、出力は; すべて; SID300 TPD1 応答時間。電力 = ⾼ – 150 – ns ⼊力は; Figure 6; SID_DS_16 VOS_HI_M2 モード 2、⾼電流 – 5 – トリム後、25°C、; SID_DS_15 VOS_LOW_M1 モード 1、低電流 – 5 – トリム後、25°C、; SID149 II2C1

3. CY8C41xx

   страница товара; от производителя; издатель: Infineon; редакция: 2026-10-03

   Где в источнике: current Vbias = 5 V; 图 10; SID213 F_SWDCLK1; frequency;; comparators on; TJA Package θJA; current Vbias = 3.3 V; BID27; of operation; SID214 F_SWDCLK2; High, VDDA =

4. CY8C41xx

   страница товара; от производителя; издатель: Infineon; редакция: 2026-10-03

   Где в источнике: S Automotive (AEC-Q100: –; IOUT_MAX VDDA = >; voltage low; ripple),; supply, 1; ripple mode, input is; -40 to +125°C; mode; e sensor; variation at; current; VDDA =>; frequency;; ≤ 60/40 duty; IOUT VDDA =; pF,; leakage; GBW VDDA = - - - -; _Int med; Hz - 1; comparator; frequency; on; T = –; VOUT VDDA=> -; and WDT; range of; lo, Iload = -0.2; operation; E Automotive (AEC-Q100: –

5. CY8C41xx

   страница товара; от производителя; издатель: Infineon; редакция: 2026-10-03

   Где в источнике: Fall time in slow strong; SID214 F_SWDCLK2; GPIO FOUT;; low power mode; SID149 II2C1 consumption at – – 50 –; flank)); SID76 FGPIOUT3; operation; current Vbias = 3.3 V; SID150 II2C2 consumption at – – 135 –; wettable flank package)); SID74 FGPIOUT1; SID75 FGPIOUT2; Voltage range of; Rise time in slow strong; Rise time in fast strong; current Vbias = 5 V; SID288B VOS_TR Offset voltage, trimmed – 2 –; SID288 VOS_TR Offset voltage, trimmed –1.0 0.5 1.0; All; SID213 F_SWDCLK1; ns; SID245 FGPIOUT4

6. CY8C41xx

   технический лист; от производителя; издатель: Infineon; редакция: 2026-10-03

   Где в источнике: SID213 F_SWDCLK1; SID182B –; Vbias = 5 V; SID273 GBW_MED power = med 3 – – MHz; power supply, DC to 10; SID274 GBW_LO power = lo – 1 – MHz; Vbias = 3.3 V; 除非另有说明，所有规格均适用于–40°C≤TA≤105°C 和 TJ≤125°C。规格有效期为; All; GPIO FOUT; 1.71 V≤ VDDD≤ 3.3 V; GPIO FOUT; 3.3 V ≤ VDDD ≤ 5.5 V; SID288A VOS_TR Offset voltage, trimmed – ±1 – mV; Cload = 25 pF; All use cases. VDDA >; SID272 GBW_HI power = hi 6 – – MHz; power = hi; SID214 F_SWDCLK2

7. CY8C41xx

   страница товара; от производителя; издатель: Infineon; редакция: 2026-10-03

   Где в источнике: trimmed; Rise time in slow strong; SID295 VN3; SID_DS_4 IDD_HI_M2; Low current; Voltage range of; VDD = 4.5 V to 5.5 V, 375 ksps; ns; VDD = 3 V to 4.5 V, 300 ksps; Input offset voltage,; SID_DS_6 IDD_LOW_M2; SID_DS_3 IDD_LOW_M1; VDD = 1.71 V to 3 V, 150 ksps; SID_DS_1 IDD_HI_M1; ratio; SID294 VN2; VCCD; SID296 VN4; SID_DS_2 IDD_MED_M1; SID_DS_5 IDD_MED_M2; –40°C  TA  125°C; SID98 A_GAINERR Gain error – –; operation; can be anywhere in the range of; Medium current; mode; High current; – GBW; trimmed mV

8. CY8C41xx

   страница товара; от производителя; издатель: Infineon; редакция: 2026-10-03

   Где в источнике: BID194[5] TRESETWAKE 从复位释放到唤醒的时间 – –; SID280 IOUT_MAX_LO – –; CPU 的运⾏速度为 24 MHz; 全部; SID214 F_SWDCLK2; SID213 F_SWDCLK1; 中等电流 10 围为0.5 V ~ VDDA–; 功耗 = 中 500 ns 围为0.2 V ~ VDDA–; 时间; 输出低电平电压; 快速强驱动模式; • 低功耗操作的电压范围; 输出高电平电压; dB; [13?14] FIMOTOL1 和 48 MHz ( 经过校; 功耗 = 高 nV/rtHz 围为0.2 V ~ VDDA–; SID76 FGPIOUT3; µA; SID_DS_10 GBW_HI_M2 模式 2，高电流 – 0.5 –; SID296 VN4

9. CY8C41xx

   страница товара; от производителя; издатель: Infineon; редакция: 2026-10-03

   Где в источнике: I2C 唤醒，WDT 使能 – 2.5 180 µA; SID75 FGPIOUT2; SID65 IIL; GPIO FOUT；1.71 V ≤ VDDD ≤; GPIO FOUT；3.3 V ≤ VDDD ≤; 输入漏电流 ( 绝对值 ) – – 2 nA; SID182[9] FRET; SID74 FGPIOUT1; – µA T = –40 °C 到 60 °C; SID182B –; GPIO 的输出频率 (FOUT) ；; SID245 FGPIOUT4; SID182A[9] –; 围为 0.5 V 到 VDDA; I2C 唤醒，WDT 使能 – 2.5 125 µA

10. CY8C41xx

    страница товара; от производителя; издатель: Infineon; редакция: 2026-10-03

    Где в источнике: SID245 FGPIOUT4; T = –40°C to 60°C; SID75 FGPIOUT2; GPIO FOUT; 1.71 VVDDD

11. CY8C41xx

    страница товара; от производителя; издатель: Infineon; редакция: 2026-10-03

    Где в источнике: ș2; power supply, DC to; VDDA-0.2 V, Output is; ș1