CY8C41x5

Характеристики

Грузоподъёмность

нет данных

Вылет

нет данных

Повторяемость позиционирования

нет данных

Масса

нет данных

Степень защиты

нет данных

Характеристики из источника

Строки приведены так, как их печатает производитель: без перевода, пересчёта и сравнения.

MHz （递增步长为 4

25 °C (≤ TA ≤ 85 °C)

источник 1

SID_DS_18 VOS_LOW_M2 モード 2、低電流 – 5 –

0.2 V (〜 VDDA – 1.5 V)

источник 2

SID214 F_SWDCLK2

1.71 V ( VDD  3.3 V – – 7)

источник 3

SID294 VN2

1 kHz (, – 72 –)

источник 3

围为 0.2 V 至 VDDA –

0.2 V

источник 1

度 > 0 °C 时，VDDD

≥ 1.8 V

источник 1

SID_DS_12 GBW_Low_M2 モード 2、低電流 – 0.1 – DC負荷無し

0.2 V (〜 VDDA – 0.2 V)

источник 2

SID213 F_SWDCLK1

3.3 V (≤ VDD ≤ 5.5 V – – 14 MHz SWDCLK ≤ CPU)

источник 1

SID291 CMRR DC 70 80 –

0.2 V (to VDDA – 0.2 V,)

источник 3

dB

0.2 V (、出力は 0.2 V)

источник 2

trimmed

0 V (to VDDA – 0.2 V)

источник 3

Vbias = 5 V

50 Hz (. 25°C)

источник 2

SID213 F_SWDCLK1

3.3 V ( VDD  5.5 V – – 14)

источник 3

SID273 GBW_MED power = med 3 – – MHz

0.2 V (to VDDA – 0.2 V)

источник 3

Fall time in fast strong

3.3 V (VDDD,)

источник 3

SID_DS_19 IOUT_HI_M1 モード 1、⾼電流 – 10 –

0.5 V (〜 VDDA – 0.5 V)

источник 2

因为 SAR 需要使用高速时钟 （高达 18 MHz），所以不可在深度睡眠模式下运⾏。SAR 的工作电压范围为

1.71 V (到 5.5 V。)

источник 1

All

260 °C (30 seconds)

источник 3

Rise time in fast strong

3.3 V (VDDD,)

источник 3

SID272_I GBW_HI_Int 功耗 = 高 8 – – MHz 输出电压范围为

0.25 V (到 VDDA–)

источник 1

SID272 GBW_HI power = hi 6 – –

0.2 V (to VDDA – 0.2 V)

источник 3

PSoC ™ 4100PS 参考系统⽣成所需要的所有内部参考电压。1.2 V 参考电压被提供给比较器。IDAC 基于

±5 % (参考电压。)

источник 1

SID_DS_17 VOS_MED_M2 モード 2、中電流 – 5 –

0.2 V (〜 VDDA – 1.5 V)

источник 2

GPIO FOUT;

90/10 % (,)

источник 3

C1

5.5 V

источник 1

Vbias = 3.3 V 4セグメント、

50 Hz (. 25°C)

источник 2

SID245 FGPIOUT4

1.71 V (≤ VDDD ≤ 3.3 V – – 3.5 負荷25 pF,)

источник 2

Medium current

0.5 V (to VDDA – 0.5 V)

источник 3

SID_DS_16 VOS_HI_M2 モード 2、⾼電流 – 5 –

0.2 V (〜 VDDA – 1.5 V)

источник 2

SID_DS_13 VOS_HI_M1 モード 1、⾼電流 – 5 –

0.2 V (〜 VDDA – 1.5 V)

источник 2

– 0.2 V、VDDA ≥

2.7 V

источник 2

负载，电压范围为

0.2 V (至 VDDA – 0.2)

источник 1

SID_DS_7 GBW_HI_M1 モード 1、⾼電流 – 4 – DC負荷無し

0.2 V (〜 VDDA – 0.2 V)

источник 2

SID274 GBW_LO power = lo – 1 –

0.2 V (to VDDA – 0.2 V)

источник 3

Low current

0.2 V (to VDDA – 1.5 V)

источник 3

〜 VDDA – 0.2 V、

1.71 V (≤ VDDA < 2.7 V)

источник 2

SID150 II2C2 consumption at – – 135 –

400 kHz (µA)

источник 3

High current

0.2 V (to VDDA – 1.5 V)

источник 3

SID295 VN3

10 kHz (, – 28 –)

источник 3

SID245 FGPIOUT4

1.71 V (VDDD 3.3 V – – 3.5 25-pF load,)

источник 3

すべて

260 °C (30 秒)

источник 2

リップル = 10 mV

0.2 V (〜 VDDA – 0.2 V)

источник 2

ブロック電流

1.8 V ± 5 % (または)

источник 2

SID76 FGPIOUT3

3.3 V (VDDD 5.5 V – – 7 MHz 25-pF load,)

источник 3

SID74 FGPIOUT1 GPIO 的输出频率 – – 16 MHz

90/10 % (，Cload =)

источник 1

SID_DS_14 VOS_MED_M1 モード 1、中電流 – 5 –

0.2 V (〜 VDDA – 1.5 V)

источник 2

Frequency range from

2 V ( VDD  5.5 V,)

источник 3

(トリム後)

0.2 V

источник 2

SID213 F_SWDCLK1

3.3 V (≤ VDD ≤ 5.5 V – – 14 クロック周波数の)

источник 2

SID308 VCSD 動作電圧範囲 1.71 – 5.5 V

1.8 V (〜 5.5 V)

источник 2

High current

0.2 V (to VDDA – 0.2 V)

источник 3

Figure 6

1.8 V (〜 5.5 V の外部電源 ( 内部レギュレータが有効 ))

источник 2

current Vbias = 5 V

50 Hz (. 25°C)

источник 3

SID.CSD#15A VREF_EXT パレータ用の外部 0.6 – V

4.4 V ((いずれか低)

источник 2

SID149 II2C1 consumption at – – 50 –

100 kHz

источник 3

作，或者⽣成复位事件 （例如，欠压检测）。PSoC ™ 4100PS 可通过一个外部电源供电，其电压范围为

1.8 V ±5 % (（外部稳压）或 1.8 V 至 5.5 V （内部稳压）。它拥有三种不同的电源模式，这些模式间的转换)

источник 1

SID_DS_9 GBW_LOW_M1 モード 1、低電流 – 0.5 – DC負荷無し

0.2 V (〜 VDDA – 0.2 V)

источник 2

Medium current

0.2 V (to VDDA – 1.5 V)

источник 3

SID74 FGPIOUT1

3.3 V (≤ VDDD ≤ 5.5 V – – 16 負荷25 pF,)

источник 2

Rise time in slow

3.3 V (VDDD,)

источник 3

SID_DS_20 IOUT_MED_M1 モード 1、中電流 – 10 –

0.5 V (〜 VDDA – 0.5 V)

источник 2

SID_DS_21 IOUT_LOW_M1 モード 1、低電流 – 4 –

0.5 V (〜 VDDA – 0.5 V)

источник 2

SID214 F_SWDCLK2

1.71 V (≤ VDD ≤ 3.3 V – – 7 クロック周波数の)

источник 2

SID274 GBW_LO 電力 = 低 – 1 –

0.2 V (〜 VDDA – 0.2 V)

источник 2

SID75 FGPIOUT2

1.71 V (≤ VDDD ≤ 3.3 V – – 16 負荷25 pF,)

источник 2

电压范围

1.71 V (至 5.5 V)

источник 1

至 VDDA – 0.2 V ，

1.71 V (≤ VDDA <)

источник 1

GBW

0.1 mA (,)

источник 3

SID272 GBW_HI 電力 = ⾼ 6 – –

0.2 V (〜 VDDA – 0.2 V)

источник 2

Low current

0.5 V (to VDDA – 0.5 V)

источник 3

SID214 F_SWDCLK2

1.71 V (≤ VDD ≤ – – 7 SWDCLK ≤ CPU)

источник 1

⼊力は 0 V 〜 VDDA –

0.2 V (、)

источник 2

SID_DS_15 VOS_LOW_M1 モード 1、低電流 – 5 –

0.2 V (〜 VDDA – 1.5 V)

источник 2

SID296 VN4

100 kHz (, – 15 –)

источник 3

SID_DS_10 GBW_HI_M2 モード 2、⾼電流 – 0.5 – DC負荷無し

0.2 V (〜 VDDA – 0.2 V)

источник 2

； 1.71 V ≤ VDDD ≤

90/10 % (VIO)

источник 1

SID_DS_11 GBW_MED_M2 モード 2、中電流 – 0.2 – DC負荷無し

0.2 V (〜 VDDA – 0.2 V)

источник 2

SID76

3.3 V (≤ VDDD ≤ 5.5 V – – 7)

источник 2

Voltage range of

1.8 V ± 5 % (or 1.8 V)

источник 3

围为 0.2 V 到 VDDA –

0.2 V

источник 1

SID75 FGPIOUT2

1.71 V (VDDD3.3 V – – 16 25-pF load,)

источник 3

功耗 = 高，VDDA =

2.7 V

источник 1

High current

0.5 V (to VDDA – 0.5 V)

источник 3

Medium current

0.2 V (to VDDA – 0.2 V)

источник 3

電力 = ⾼

0.2 V (〜 VDDA – 0.2 V)

источник 2

； 1.71 V ≤ VDDD ≤ 90/10% VIO

5.5 V

источник 1

SID_DS_8 GBW_MED_M1 モード 1、中電流 – 2 – DC負荷無し

0.2 V (〜 VDDA – 0.2 V)

источник 2

SID74 FGPIOUT1

3.3 V ( VDDD 5.5 V – – 16 25-pF load,)

источник 3

LCD system operating

50 Hz (. 25°C)

источник 3

Fall time in slow strong

3.3 V (VDDD,)

источник 3

=高

0.2 V

источник 1

Low current

0.2 V (to VDDA – 0.2 V)

источник 3

SID273 電力 = 中 3 – – MHz

0.2 V (〜 VDDA – 0.2 V)

источник 2

Источники

1. CY8C41x5

   технический лист; от производителя; издатель: Infineon; редакция: 2026-10-03

   Где в источнике: MHz （递增步长为 4; 围为 0.2 V 至 VDDA –; 度 > 0 °C 时，VDDD; SID213 F_SWDCLK1; 因为 SAR 需要使用高速时钟 （高达 18 MHz），所以不可在深度睡眠模式下运⾏。SAR 的工作电压范围为; SID272_I GBW_HI_Int 功耗 = 高 8 – – MHz 输出电压范围为; PSoC ™ 4100PS 参考系统⽣成所需要的所有内部参考电压。1.2 V 参考电压被提供给比较器。IDAC 基于; C1; 负载，电压范围为; SID74 FGPIOUT1 GPIO 的输出频率 – – 16 MHz; 作，或者⽣成复位事件 （例如，欠压检测）。PSoC ™ 4100PS 可通过一个外部电源供电，其电压范围为; - 电压范围; 至 VDDA – 0.2 V ，; SID214 F_SWDCLK2; ； 1.71 V ≤ VDDD ≤; 围为 0.2 V 到 VDDA –; 功耗 = 高，VDDA =; ； 1.71 V ≤ VDDD ≤ 90/10% VIO; =高

2. CY8C41x5

   страница товара; от производителя; издатель: Infineon; редакция: 2026-10-03

   Где в источнике: SID_DS_18 VOS_LOW_M2 モード 2、低電流 – 5 –; SID_DS_12 GBW_Low_M2 モード 2、低電流 – 0.1 – DC負荷無し; dB; Vbias = 5 V; SID_DS_19 IOUT_HI_M1 モード 1、⾼電流 – 10 –; SID_DS_17 VOS_MED_M2 モード 2、中電流 – 5 –; Vbias = 3.3 V 4セグメント、; SID245 FGPIOUT4; SID_DS_16 VOS_HI_M2 モード 2、⾼電流 – 5 –; SID_DS_13 VOS_HI_M1 モード 1、⾼電流 – 5 –; – 0.2 V、VDDA ≥; SID_DS_7 GBW_HI_M1 モード 1、⾼電流 – 4 – DC負荷無し; 〜 VDDA – 0.2 V、; すべて; リップル = 10 mV; ブロック電流; SID_DS_14 VOS_MED_M1 モード 1、中電流 – 5 –; (トリム後); SID213 F_SWDCLK1; SID308 VCSD 動作電圧範囲 1.71 – 5.5 V; Figure 6; SID.CSD#15A VREF_EXT パレータ用の外部 0.6 – V; SID_DS_9 GBW_LOW_M1 モード 1、低電流 – 0.5 – DC負荷無し; SID74 FGPIOUT1; SID_DS_20 IOUT_MED_M1 モード 1、中電流 – 10 –; SID_DS_21 IOUT_LOW_M1 モード 1、低電流 – 4 –; SID214 F_SWDCLK2; SID274 GBW_LO 電力 = 低 – 1 –; SID75 FGPIOUT2; SID272 GBW_HI 電力 = ⾼ 6 – –; ⼊力は 0 V 〜 VDDA –; SID_DS_15 VOS_LOW_M1 モード 1、低電流 – 5 –; SID_DS_10 GBW_HI_M2 モード 2、⾼電流 – 0.5 – DC負荷無し; SID_DS_11 GBW_MED_M2 モード 2、中電流 – 0.2 – DC負荷無し; SID76; 電力 = ⾼; SID_DS_8 GBW_MED_M1 モード 1、中電流 – 2 – DC負荷無し; SID273 電力 = 中 3 – – MHz

3. CY8C41x5

   страница товара; от производителя; издатель: Infineon; редакция: 2026-10-03

   Где в источнике: SID214 F_SWDCLK2; SID294 VN2; SID291 CMRR DC 70 80 –; trimmed; SID213 F_SWDCLK1; SID273 GBW_MED power = med 3 – – MHz; Fall time in fast strong; All; Rise time in fast strong; SID272 GBW_HI power = hi 6 – –; GPIO FOUT;; Medium current; SID274 GBW_LO power = lo – 1 –; Low current; SID150 II2C2 consumption at – – 135 –; High current; SID295 VN3; SID245 FGPIOUT4; SID76 FGPIOUT3; Frequency range from; current Vbias = 5 V; SID149 II2C1 consumption at – – 50 –; Rise time in slow; GBW; SID296 VN4; Voltage range of; SID75 FGPIOUT2; SID74 FGPIOUT1; LCD system operating; Fall time in slow strong