RoboMap
Модель

CY8C40xx

Производитель: Infineon

67
характеристик
5
источников

О модели

CY8C40xx - модель производителя Infineon.

67 характеристик приведены словами производителя, без пересчёта.

Сведения на странице взяты из 5 источников, у каждого значения указан свой.

Характеристики

Грузоподъёмность
нет данных
Вылет
нет данных
Повторяемость позиционирования
нет данных
Масса
нет данных
Степень защиты
нет данных

Характеристики из источника

Строки приведены так, как их печатает производитель: без перевода, пересчёта и сравнения.

Power supply bypass connections example
1.8 V to 5.5 V

источник 1

SID213 F_SWDCLK1
3.3 V ( VDD  5.5 V – – 14 CPU clock)

источник 2

图9
24 L (QFN 4×4×0.60MM LQ24A/LQ24B 2.65×2.65 EPAD（SAWN），封装外形，)

источник 3

Figure 7
40 L

источник 2

Frequency variation at 24
2 V ( VDD  5.5 V, and)

источник 4

BID27
40 L (QFN 6 × 6 × 0.6 mm height with 0.5-mm pitch 001-80659)

источник 3

GPIO FOUT; 3.3 V  VDDD 
90/10 % (, 25 pF load,)

источник 1

Vbias = 3.3V
50 Hz (、25°C)

источник 5

作電流 ト ディスプレイ、
50 Hz

источник 5

Vbias = 5V
50 Hz (、25°C)

источник 5

GPIO FOUT; 1.71 VVDDD
90/10 % (, 25 pF load,)

источник 1

ators on
105 °C

источник 1

SID312 IDAC2INL INL –2 – 2 LSB
2 V

источник 1

Voltage range of
1.8 V ± 5 % (or 1.8 V to)

источник 3

SID150 II2C2
400 kHz (でのブロック消費電流 – – 135 –)

источник 5

SID214 F_SWDCLK2
1.71 V (≤ VDD ≤ 3.3V – – 7 クロック周波数の)

источник 5

SID214 F_SWDCLK2
1.71 V ( VDD  3.3 V – – 7 CPU clock)

источник 2

Figure 9
24 L

источник 2

Fall time in slow strong
3.3 V (VDDD,)

источник 3

SID213 F_SWDCLK1
3.3 V (≤ VDD ≤ 5.5V – – 14 クロック周波数の)

источник 5

SID182[10] FRET
55 °C (、プログラム 20 – – –)

источник 5

BID34
24 L (QFN 4 × 4 × 0.6 mm height with 0.5-mm pitch 001-13937)

источник 3

SID213 F_SWDCLK1
3.3 V ( VDD  5.5 V – – 14)

источник 1

SID214 F_SWDCLK2
1.71 V (≤ VDD ≤ 3.3 V – – 7 CPU)

источник 3

SID214 F_SWDCLK2
1.71 V ( VDD  3.3 V – – 7 MHz)

источник 4

Comparators on
105 °C (and 5.5 V)

источник 1

current Vbias = 3.3 V
50 Hz (. 25°C)

источник 3

SID310 IDAC1INL INL –2 – 2 LSB
2 V

источник 1

SID308 VCSD Voltage range of operation
5.5 V

источник 4

SID245 FGPIOUT4
1.71 V (≤ VDDD ≤ 3.3 V; – – 3.5 load,)

источник 3

VCCD
1.8 V

источник 1

All
260 °C (30 seconds)

источник 4

比 (SINAD)
2.4 V (、VREF (2.4V))

источник 5

Rise time in fast strong
3.3 V (VDDD,)

источник 3

業用温度範囲部品
0 ℃ (〜 85 ℃、拡張)

источник 5

SID213 F_SWDCLK1
3.3 V (≤ VDD ≤ 5.5 V – – 14 CPU)

источник 3

SID182B[10] FRETQ
105 °C (、プログラ 10 – 20 特性評価で保証)

источник 5

Rise time in slow strong
3.3 V (VDDD,)

источник 3

SID213 F_SWDCLK1
3.3 V ( VDD  5.5 V – – 14 MHz)

источник 4

低功耗操作的电压范围
1.71 V ~ 5.5 V

источник 3

All
260 °C (30 s)

источник 3

ators on
5.5 V

источник 1

GPIO FOUT; 1.71V≤ VDDD≤ 3.3V;
90/10 % (、負荷)

источник 5

すべて
260 °C (30 秒)

источник 5

current Vbias = 5 V
50 Hz (. 25°C)

источник 3

SID182A[10] –
85 °C (、プログラム 10 – – –)

источник 5

图7
40 L

источник 3

SID76 FGPIOUT3
5.5 V (– – 7 MHz)

источник 1

TJC Package θJC
24 L (QFN – 5.6 – °C/W)

источник 3

ultra low-power
40 °C

источник 3

TJA Package θJA
40 L (QFN – 17.8 – °C/W)

источник 3

40 to +125 °C
-40 to +85 °C

источник 1

Cload = 25 pF
3.3 V (VDDD,)

источник 4

operation
5.5 V

источник 3

TJA Package θJA
24 L (QFN – 21.7 – °C/W)

источник 3

TJC Package θJC
40 L (QFN – 2.8 – °C/W)

источник 3

ns
3.3 V (VDDD,)

источник 3

SID76 FGPIOUT3
3.3 V (≤ VDDD ≤ 5.5 V; – – 7 MHz load,)

источник 3

SID74 FGPIOUT1
3.3 V (≤ VDDD ≤ 5.5 V; – – 33 load,)

источник 3

SID75 FGPIOUT2
3.3 V (– – 16.7)

источник 1

GPIO FOUT; 3.3V ≤ VDDD ≤ 5.5V;
90/10 % (、負荷)

источник 5

SID214 F_SWDCLK2
1.71 V ( VDD  3.3 V – – 7)

источник 1

SID74 FGPIOUT1
5.5 V (– – 33)

источник 1

SID245 FGPIOUT4
3.3 V (– – 3.5)

источник 1

SYS.PER#1 VDD_RIP
25 °C (TA, Parasitic Capaci-)

источник 1

SID75 FGPIOUT2
1.71 V (≤ VDDD≤ 3.3 V; – – 16.7 load,)

источник 3

GPIO FOUT;
90/10 % (, 25 pF)

источник 3

Источники

  1. CY8C40xx

    страница товара; от производителя; издатель: Infineon; редакция: 2026-10-03

    Где в источнике: Power supply bypass connections example; GPIO FOUT; 3.3 V  VDDD ; GPIO FOUT; 1.71 VVDDD; ators on; SID312 IDAC2INL INL –2 – 2 LSB; SID213 F_SWDCLK1; Comparators on; SID310 IDAC1INL INL –2 – 2 LSB; VCCD; SID76 FGPIOUT3; -40 to +125 °C; SID75 FGPIOUT2; SID214 F_SWDCLK2; SID74 FGPIOUT1; SID245 FGPIOUT4; SYS.PER#1 VDD_RIP-

  2. CY8C40xx

    страница товара; от производителя; издатель: Infineon; редакция: 2026-10-03

    Где в источнике: SID213 F_SWDCLK1; Figure 7; SID214 F_SWDCLK2; Figure 9

  3. CY8C40xx

    технический лист; от производителя; издатель: Infineon; редакция: 2026-10-03

    Где в источнике: 图9; BID27; Voltage range of; Fall time in slow strong; BID34; SID214 F_SWDCLK2; current Vbias = 3.3 V; SID245 FGPIOUT4; Rise time in fast strong; SID213 F_SWDCLK1; Rise time in slow strong; • 低功耗操作的电压范围; All; current Vbias = 5 V; 图7; TJC Package θJC; ultra low-power; TJA Package θJA; operation; ns; SID76 FGPIOUT3; SID74 FGPIOUT1; SID75 FGPIOUT2; GPIO FOUT;

  4. CY8C40xx

    страница товара; от производителя; издатель: Infineon; редакция: 2026-10-03

    Где в источнике: Frequency variation at 24; SID214 F_SWDCLK2; SID308 VCSD Voltage range of operation; All; SID213 F_SWDCLK1; Cload = 25 pF

  5. CY8C40xx

    страница товара; от производителя; издатель: Infineon; редакция: 2026-10-03

    Где в источнике: Vbias = 3.3V; 作電流 ト ディスプレイ、; Vbias = 5V; SID150 II2C2; SID214 F_SWDCLK2; SID213 F_SWDCLK1; SID182[10] FRET; 比 (SINAD); 業用温度範囲部品; SID182B[10] FRETQ; GPIO FOUT; 1.71V≤ VDDD≤ 3.3V;; すべて; SID182A[10] –; GPIO FOUT; 3.3V ≤ VDDD ≤ 5.5V;

Производитель и семейство

Производитель
Infineon

Нашли ошибку в данных? Сообщите нам, и мы проверим источник.