RoboMap
Модель

CY15B116QN CY15V116QN

Производитель: Infineon

56
характеристик
4
источников

О модели

CY15B116QN CY15V116QN - модель производителя Infineon.

56 характеристик приведены словами производителя, без пересчёта.

Сведения на странице взяты из 4 источников, у каждого значения указан свой.

Характеристики

Грузоподъёмность
нет данных
Вылет
нет данных
Повторяемость позиционирования
нет данных
Масса
нет данных
Степень защиты
нет данных

Характеристики из источника

Строки приведены так, как их печатает производитель: без перевода, пересчёта и сравнения.

Maximum junction temperature
125 °C

источник 1

Figure 25
24 L (FBGA 8  6  1.2 mm BK24A package outline, 001-97209)

источник 1

DC 出力電流 ( ⼀度に 1 出力、1 秒間 )
15 mA

источник 2

WREN 置位写使能锁存
06 h (0000 0110b 40)

источник 3

RDSR Read Status Register
05 h (0000 0101b 40)

источник 1

CY15V116QN
1.71 V to 1.89 V

источник 1

産業用動作温度範囲
-40 °C (〜 +85°C)

источник 2

Charged device model (JEDEC Std JESD22-C101-A)
500 V

источник 1

ラッチアップ電流
> 140 mA

источник 2

図 25
24 L (FBGA 8 × 6 × 1.2mm BK24A パッケージ外形図、001-97209)

источник 2

栓锁电流
> 140 mA

источник 3

充电器件模型 (JEDEC 标准 JESD22-C101-A)
500 V

источник 3

Electrostatic discharge voltage human body model
2 kV

источник 4

WRSR 写⼊状态寄存器
01 h (0000 0001b 40)

источник 3

WRSR ステータス レジスタ書き込み
01 h (0000 0001b 40)

источник 2

表面组装铅焊温度 (3 秒 )
+260 °C

источник 3

工业级工作温度范围
-40 °C (到 +85°C)

источник 3

At 125 °C ambient temperature
1000 h

источник 1

WRSR Write Status Register
01 h (0000 0001b 40)

источник 1

Surface mount lead soldering temperature (3 seconds)
+260 °C

источник 1

デバイス帯電モデル (JEDEC 規格 JESD22-C101-A)
500 V

источник 2

DC output current (1 output at a time, 1s duration)
15 mA

источник 1

Input pulse levels
10 % (and 90% of VDD)

источник 1

CY15B116QN
1.8 V ~ 3.6 V

источник 3

封装功耗能力 (TA = 25 °C)
1.0 W

источник 3

READ メモリ データ読み出し
03 h (0000 0011b 35)

источник 2

SSWR 特殊セクタ書き込み
42 h (0100 0010b 40)

источник 2

WRDI Reset Write Enable Latch
04 h (0000 0100b 40)

источник 1

(JEDEC 規格 JESD22-A114-B)
2 kV

источник 2

RDSR ステータス レジスタ読み出し
05 h (0000 0101b 40)

источник 2

High-Z 状態の出力に印加される DC 電圧
-0.5 V (〜 VDD + 0.5V)

источник 2

WRDI 复位写使能锁存
04 h (0000 0100b 40)

источник 3

CY15V116QN 工业级 –40°C ~ +85°C
1.71 V ~ 1.89 V

источник 3

CY15V116QN 産業用
-40 °C (〜 +85°C 1.71V 〜 1.89V)

источник 2

WRITE 写⼊存储器数据
02 h (0000 0010b 40)

источник 3

Latch-up current
>140 mA

источник 1

WRITE Write Memory Data
02 h (0000 0010b 40)

источник 1

WRITE メモリ データ書き込み
02 h (0000 0010b 40)

источник 2

CY15B116QN
-0.5 V (〜 +4.1V)

источник 2

表面実装はんだ付け温度 (3 秒 )
+260 °C

источник 2

静电放电电压人体模型 (JEDEC 标准 JESD22-A114-B)
2 kV

источник 3

パッケージ許容電力損失 (TA = 25°C)
1.0 W

источник 2

RDSR 读取状态寄存器
05 h (0000 0101b 40)

источник 3

SSWR 特殊扇区写⼊操作
42 h (0100 0010b 40)

источник 3

保管温度
-65 °C (〜 +125°C)

источник 2

最大接合部温度
125 °C

источник 2

Figure 25
24 L (FBGA 8 × 6 × 1.2 mm BK24A 封装外形 , 001-97209)

источник 3

(JEDEC Std JESD22-A114-B)
2 kV

источник 1

最高结温
125 °C

источник 3

READ 读取存储器数据
03 h (0000 0011b 35)

источник 3

CY15V116QN
-0.5 V (〜 +2.4V)

источник 2

READ Read Memory Data
03 h (0000 0011b 35)

источник 1

Package power dissipation capability (TA = 25 °C)
1.0 W

источник 1

WREN Set Write Enable Latch
06 h (0000 0110b 40)

источник 1

CY15B116QN
1.8 V to 3.6 V

источник 1

SSWR Special Sector Write
42 h (0100 0010b 40)

источник 1

Источники

  1. CY15B116QN, CY15V116QN

    технический лист; от производителя; издатель: Infineon; редакция: 2026-10-03

    Где в источнике: Maximum junction temperature; Figure 25; RDSR Read Status Register; CY15V116QN; Charged device model (JEDEC Std JESD22-C101-A); At 125 °C ambient temperature; WRSR Write Status Register; Surface mount lead soldering temperature (3 seconds); DC output current (1 output at a time, 1s duration); Input pulse levels; WRDI Reset Write Enable Latch; Latch-up current; WRITE Write Memory Data; (JEDEC Std JESD22-A114-B); READ Read Memory Data; Package power dissipation capability (TA = 25 °C); WREN Set Write Enable Latch; CY15B116QN; SSWR Special Sector Write

  2. CY15B116QN, CY15V116QN

    страница товара; от производителя; издатель: Infineon; редакция: 2026-10-03

    Где в источнике: DC 出力電流 ( ⼀度に 1 出力、1 秒間 ); • 産業用動作温度範囲; ラッチアップ電流; 図 25; WRSR ステータス レジスタ書き込み; デバイス帯電モデル (JEDEC 規格 JESD22-C101-A); READ メモリ データ読み出し; SSWR 特殊セクタ書き込み; (JEDEC 規格 JESD22-A114-B); RDSR ステータス レジスタ読み出し; High-Z 状態の出力に印加される DC 電圧; CY15V116QN 産業用; WRITE メモリ データ書き込み; CY15B116QN; 表面実装はんだ付け温度 (3 秒 ); パッケージ許容電力損失 (TA = 25°C); 保管温度; 最大接合部温度; CY15V116QN

  3. CY15B116QN, CY15V116QN

    страница товара; от производителя; издатель: Infineon; редакция: 2026-10-03

    Где в источнике: WREN 置位写使能锁存; 栓锁电流; 充电器件模型 (JEDEC 标准 JESD22-C101-A); WRSR 写⼊状态寄存器; 表面组装铅焊温度 (3 秒 ); • 工业级工作温度范围; CY15B116QN; 封装功耗能力 (TA = 25 °C); WRDI 复位写使能锁存; CY15V116QN 工业级 –40°C ~ +85°C; WRITE 写⼊存储器数据; 静电放电电压人体模型 (JEDEC 标准 JESD22-A114-B); RDSR 读取状态寄存器; SSWR 特殊扇区写⼊操作; Figure 25; 最高结温; READ 读取存储器数据

  4. CY15B116QN, CY15V116QN

    страница товара; от производителя; издатель: Infineon; редакция: 2026-10-03

    Где в источнике: Electrostatic discharge voltage human body model

Производитель и семейство

Производитель
Infineon

Нашли ошибку в данных? Сообщите нам, и мы проверим источник.