CY15B108QN CY15V108QN

Характеристики

Грузоподъёмность

нет данных

Вылет

нет данных

Повторяемость позиционирования

нет данных

Масса

нет данных

Степень защиты

нет данных

Характеристики из источника

Строки приведены так, как их печатает производитель: без перевода, пересчёта и сравнения.

CY15B108QN

1.8 V to 3.6 V

источник 1

⺠⽣用

0 °C (〜 +70°C)

источник 2

表面実装はんだ付け温度 (3 秒)

+260 °C

источник 2

CY15V108QN

1.71 V (〜 1.89 V)

источник 2

Latch-up current

>140 mA

источник 1

Surface mount lead soldering temperature (3 seconds)

+260 °C

источник 1

SSWR Special Sector Write

42 h (0100 0010b 50)

источник 1

WRDI Reset write enable latch

04 h (0000 0100b)

источник 3

READ Read memory data

03 h (0000 0011b 35)

источник 1

WRDI Reset write enable latch

04 h (0000 0100b 50)

источник 1

WRITE Write memory data

02 h (0000 0010b)

источник 3

READ メモリ データ読み出し

03 h (0000 0011b)

источник 2

READ Read memory data

03 h (0000 0011b)

источник 3

WRITE Write memory data

02 h (0000 0010b 50)

источник 1

Commercial operating temperature

0°C to +70 °C

источник 3

DC output current (1 output at a time, 1s duration)

15 mA

источник 1

ラッチアップ電流

>140 mA

источник 2

CY15V108QN

1.71 V to 1.89 V

источник 1

Extended industrial (Q)

-40°C to +105 °C

источник 4

Package power dissipation capability (TA = 25 °C)

1.0 W

источник 1

WRSR Write Status Register

01 h (0000 0001b 50)

источник 1

RDSR ステータス レジスタ読み出し

05 h (0000 0101b)

источник 2

⺠⽣用動作温度

0 °C (〜 +70 °C)

источник 2

Maximum junction temperature

125 °C

источник 1

荷電デバイス モデル (JEDEC規格 JESD22-C101-A)

500 V

источник 2

WRSR ステータス レジスタ書き込み

01 h (0000 0001b)

источник 2

Figure 25

24 L (FBGA 8  6  1.2 mm BK24A package outline, 001-97209)

источник 1

最大接合部温度

125 °C

источник 2

Commercial

0°C to +70 °C

источник 3

⼈体モデル (JEDEC規格 JESD22-A114-B)

2 kV

источник 2

WREN 書き込みイネーブル ラッチ セット

06 h (0000 0110b)

источник 2

At 125 °C ambient temperature

1000 h

источник 1

WREN Set write enable latch

06 h (0000 0110b)

источник 3

VSS または VDD–

0.2 V (。SO = 開放 ;)

источник 2

SSWR Special sector write

42 h (0100 0010b)

источник 3

WREN Set write enable latch

06 h (0000 0110b 50)

источник 1

Human Body Model (JEDEC Std JESD22-A114-B)

2 kV

источник 3

WRITE メモリ データ書き込み

02 h (0000 0010b)

источник 2

RDSR Read Status Register

05 h (0000 0101b 50)

источник 1

RDSR Read status register

05 h (0000 0101b)

источник 3

WRDI 書き込みイネーブル ラッチ リセット

04 h (0000 0100b)

источник 2

Charged device model (JEDEC Std JESD22-C101-A)

500 V

источник 1

Input pulse levels

10 % (and 90% of VDD)

источник 1

SSWR 特殊セクタ書き込み

42 h (0100 0010b)

источник 2

パッケージ許容電力損失 (TA = 25°C)

1.0 W

источник 2

Electrostatic discharge voltage human body model

2 kV

источник 1

CY15B108QN

1.8 V (〜 3.6 V)

источник 2

WRSR Write status register

01 h (0000 0001b)

источник 3

DC 出力電流 (⼀度に1 出力、1秒間)

15 mA

источник 2

Industrial temperature (I)

-40°C to +85 °C

источник 1

Источники

1. CY15B108QN, CY15V108QN

   технический лист; от производителя; издатель: Infineon; редакция: 2026-10-03

   Где в источнике: CY15B108QN; Latch-up current; Surface mount lead soldering temperature (3 seconds); SSWR Special Sector Write; READ Read memory data; WRDI Reset write enable latch; WRITE Write memory data; DC output current (1 output at a time, 1s duration); CY15V108QN; Package power dissipation capability (TA = 25 °C); WRSR Write Status Register; Maximum junction temperature; Figure 25; At 125 °C ambient temperature; WREN Set write enable latch; RDSR Read Status Register; Charged device model (JEDEC Std JESD22-C101-A); Input pulse levels; Electrostatic discharge voltage human body model; - Industrial temperature (I)

2. CY15B108QN, CY15V108QN

   страница товара; от производителя; издатель: Infineon; редакция: 2026-10-03

   Где в источнике: ⺠⽣用; 表面実装はんだ付け温度 (3 秒); CY15V108QN; READ メモリ データ読み出し; ラッチアップ電流; RDSR ステータス レジスタ読み出し; - ⺠⽣用動作温度; 荷電デバイス モデル (JEDEC規格 JESD22-C101-A); WRSR ステータス レジスタ書き込み; 最大接合部温度; ⼈体モデル (JEDEC規格 JESD22-A114-B); WREN 書き込みイネーブル ラッチ セット; VSS または VDD–; WRITE メモリ データ書き込み; WRDI 書き込みイネーブル ラッチ リセット; SSWR 特殊セクタ書き込み; パッケージ許容電力損失 (TA = 25°C); CY15B108QN; DC 出力電流 (⼀度に1 出力、1秒間)

3. CY15B108QN, CY15V108QN

   страница товара; от производителя; издатель: Infineon; редакция: 2026-10-03

   Где в источнике: WRDI Reset write enable latch; WRITE Write memory data; READ Read memory data; - Commercial operating temperature; Commercial; WREN Set write enable latch; SSWR Special sector write; Human Body Model (JEDEC Std JESD22-A114-B); RDSR Read status register; WRSR Write status register

4. CY15B108QN, CY15V108QN

   страница товара; от производителя; издатель: Infineon; редакция: 2026-10-03

   Где в источнике: - Extended industrial (Q)