CY15B108QI CY15V108QI

Характеристики

Грузоподъёмность

нет данных

Вылет

нет данных

Повторяемость позиционирования

нет данных

Масса

нет данных

Степень защиты

нет данных

Характеристики из источника

Строки приведены так, как их печатает производитель: без перевода, пересчёта и сравнения.

WRSR Write status register

01 h (0000 0001b)

источник 1

READ メモリ データ読み出し

03 h (0000 0011b)

источник 2

CY15V108QI 産業用 –40°C 〜 +85°C

1.71 V (〜 1.89 V)

источник 2

WREN Set write enable latch

06 h (0000 0110b)

источник 1

人体モデル (JEDEC Std JESD22-A114-B)

2 kV

источник 2

Input pulse levels

10 % (and 90% of VDD)

источник 1

SSWR Special sector write

42 h (0100 0010b)

источник 1

WRSR ステータス レジスタ書き込み

01 h (0000 0001b)

источник 2

WRDI 書き込みイネーブル ラッチ リセット

04 h (0000 0100b)

источник 2

SSWR 特殊セクタ書き込み

42 h (0100 0010b)

источник 2

ラッチアップ電流

>140 mA

источник 2

READ Read memory data

03 h (0000 0011b)

источник 1

CY15B108QI

1.8 V (〜 3.6 V)

источник 2

Latch-up current

> 140 mA

источник 1

WRITE Write memory data

02 h (0000 0010b)

источник 1

CY15V108QI

1.71 V to 1.89 V

источник 1

DC 出力電流 (1 度に 1 出力、1 秒間 )

15 mA

источник 2

WRDI Reset write enable latch

04 h (0000 0100b)

источник 1

パッケージ許容電力損失 (TA = 25°C)

1.0 W

источник 2

CY15B108QI

1.8 V to 3.6 V

источник 1

RDSR Read status register

05 h (0000 0101b)

источник 1

Human body model (JEDEC Std JESD22-A114-B)

2 kV

источник 1

帯電デバイス モデル (JEDEC Std JESD22-C101-A)

500 V

источник 2

表面実装はんだ付け温度 (3 秒 )

+260 °C

источник 2

Maximum junction temperature

125 °C

источник 1

Surface mount lead soldering temperature (3 seconds)

+260 °C

источник 1

WRITE メモリ データ書き込み

02 h (0000 0010b)

источник 2

⺠⽣用動作温度範囲

0 °C (〜 +70°C)

источник 2

Charged device model (JEDEC Std JESD22-C101-A)

500 V

источник 1

At 125°C ambient temperature

1000 h

источник 1

Commercial operating temperature

0°C to +70 °C

источник 1

最大接合部温度

125 °C

источник 2

Commercial

0°C to +70 °C

источник 1

WREN 書き込みイネーブル ラッチ セット

06 h (0000 0110b)

источник 2

CY15V108QI ⺠⽣用

0 °C (〜 +70°C 1.71 V 〜 1.89 V)

источник 2

Package power dissipation capability (TA = 25°C)

1.0 W

источник 1

RDSR ステータス レジスタ読み出し

05 h (0000 0101b)

источник 2

Источники

1. CY15B108QI, CY15V108QI

   страница товара; от производителя; издатель: Infineon; редакция: 2026-10-03

   Где в источнике: WRSR Write status register; WREN Set write enable latch; Input pulse levels; SSWR Special sector write; READ Read memory data; Latch-up current; WRITE Write memory data; CY15V108QI; WRDI Reset write enable latch; CY15B108QI; RDSR Read status register; Human body model (JEDEC Std JESD22-A114-B); Maximum junction temperature; Surface mount lead soldering temperature (3 seconds); Charged device model (JEDEC Std JESD22-C101-A); At 125°C ambient temperature; - Commercial operating temperature; Commercial; Package power dissipation capability (TA = 25°C)

2. CY15B108QI, CY15V108QI

   технический лист; от производителя; издатель: Infineon; редакция: 2026-10-03

   Где в источнике: READ メモリ データ読み出し; CY15V108QI 産業用 –40°C 〜 +85°C; 人体モデル (JEDEC Std JESD22-A114-B); WRSR ステータス レジスタ書き込み; WRDI 書き込みイネーブル ラッチ リセット; SSWR 特殊セクタ書き込み; ラッチアップ電流; CY15B108QI; DC 出力電流 (1 度に 1 出力、1 秒間 ); パッケージ許容電力損失 (TA = 25°C); 帯電デバイス モデル (JEDEC Std JESD22-C101-A); 表面実装はんだ付け温度 (3 秒 ); WRITE メモリ データ書き込み; - ⺠⽣用動作温度範囲; 最大接合部温度; WREN 書き込みイネーブル ラッチ セット; CY15V108QI ⺠⽣用; RDSR ステータス レジスタ読み出し