CY14V116F7

Характеристики

Грузоподъёмность

нет данных

Вылет

нет данных

Повторяемость позиционирования

нет данных

Масса

нет данных

Степень защиты

нет данных

Характеристики из источника

Строки приведены так, как их печатает производитель: без перевода, пересчёта и сравнения.

ID 読み出 し

90 h (タ ーゲ ッ ト デバイ スが ONFI 仕様をサポー ト するかを同定する。)

источник 1

VCC = VCC （典型值）、

25 °C

источник 2

バイ ト 3

49 h (、 「I」 49h 49h 49h 49h)

источник 1

软件存储

84 h (A5h 软件存储)

источник 2

写入

80 h (10h[4] 数据被写入到 nvSRAM 中的 SRAM 阵列内。 nvSRAM 写操作的可选指)

источник 2

読み出 し

00 h (30h 読み出 し 機能は、ア ド レ ス バイ ト によ っ て指定 さ れた nvSRAM ア)

источник 1

字节 3

49 h (、“I” 49h 49h 49h 49h)

источник 2

DQ

80 h (ADD1 ADD2 ADD3 ADD4 作完成后，主微控制器必须处于活动状态或者 R/B 要保持非活动)

источник 2

读取

00 h (30h 读指令从地址字节指定的 nvSRAM 阵列位置执行读操作。)

источник 2

バイ ト 2

46 h (、 「F」 46h 46h 46h 46h)

источник 1

DQ

80 h (ADD1 ADD2 ADD3 ADD4 場合のみ有効です。 nvSRAM がパワーア ッ プ RECALL を終了)

источник 1

ス テー タ ス読み出 し

70 h (最後に発行 さ れた処理の状態の値を読み出す)

источник 1

ソ フ ト ウ ェ ア STORE

84 h (A5h ソ フ ト ウ ェ ア STORE)

источник 1

VCCQ = VCCQ （典型值）、

25 °C

источник 2

DQ

00 h (ADD1 ADD2 ADD3 ADD4 ADD5 30h D0 D1 D2)

источник 2

DQ

80 h (ADD1 ADD2 ADD3 ADD4 ADD5 D0 D1 D2 DN 10h)

источник 2

書き込み

80 h (10h[4] デー タ はnvSRAMのSRAM ア レ イ に書き込まれる。10hはnvSRAM)

источник 1

字节 2

46 h (、“F” 46H 46H 46H 46H)

источник 2

数据周期结束后发送一个 10h 指令时，写模式被终止。nvSRAM 注意

10 h (指令时 nvSRAM 写操作的可选指令。即使主机不发送)

источник 2

读状态

70 h (检索最后操作的状态值。)

источник 2

读 ID

90 h (指出目标支持 ONFI 规范。如果目标支持 ONFI 规范，将返回 ONFI 标签。)

источник 2

DQ

80 h (ADD1 ADD2 ADD3 ADD4)

источник 2

Источники

1. CY14V116F7

   страница товара; от производителя; издатель: Infineon; редакция: 2026-10-03

   Где в источнике: ID 読み出 し; バイ ト 3; 読み出 し; バイ ト 2; DQ; ス テー タ ス読み出 し; ソ フ ト ウ ェ ア STORE; 書き込み

2. CY14V116F7

   технический лист; от производителя; издатель: Infineon; редакция: 2026-10-03

   Где в источнике: VCC = VCC （典型值）、; 软件存储; 写入; 字节 3; DQ; 读取; VCCQ = VCCQ （典型值）、; 字节 2; 数据周期结束后发送一个 10h 指令时，写模式被终止。nvSRAM 注意; 读状态; 读 ID