CY14V101QS

Характеристики

Грузоподъёмность

нет данных

Вылет

нет данных

Повторяемость позиционирования

нет данных

Масса

нет данных

Степень защиты

нет данных

Характеристики из источника

Строки приведены так, как их печатает производитель: без перевода, пересчёта и сравнения.

Software Reset RESET

99 h (Yes – – – – Yes Yes 108)

источник 1

Write WRITE

02 h (controls interface functions.)

источник 1

読み出 し READ

03 h (有 – – – – 有 有 40)

источник 2

输入脉冲电平

0 V (到 1.8 V)

источник 3

VOL

2 mA (時の出力 LOW 電圧 IOL = 2mA – – 0.45 V)

источник 2

WRCR

87 h (Yes – – – – Yes – 108)

источник 1

写入配置寄存器 WRCR

87 h (支持 – – – – 支持 – 108)

источник 3

❐ 内核 VCC

2.7 V ~ 3.6 V

источник 3

Quad Input Write QIW

32 h (– – Yes – – – – 108)

источник 1

コ ン フ ィ ギ ュ レーシ ョ ン RDCR

35 h (– – – – 108)

источник 2

❐ デー タ 保持期間

85 °C (で 20 年)

источник 2

WRSR

01 h (Yes – – – – Yes Yes 108)

источник 1

Write Enable WREN

06 h (Yes – – – – Yes Yes 108)

источник 1

ソフ トウェア リセッ ト RSTEN

66 h (– – – – 108)

источник 2

ス テー タ ス レ ジ ス タ 読み RDSR

05 h (– – – – 108)

источник 2

RDSR

05 h (Yes – – – – Yes Yes 108)

источник 1

输入和输出时序参考电平

0.9 V

источник 3

写入状态寄存器 WRSR

01 h (支持 – – – – 支持 支持 108)

источник 3

读取配置寄存器 RDCR

35 h (支持 – – – – 支持 支持 108)

источник 3

写禁用 WRDI

04 h (支持 – – – – 支持 支持 108)

источник 3

写入使能 WREN

06 h (支持 – – – – 支持 支持 108)

источник 3

写入配置寄存器 WRCR

87 h

источник 3

Write Disable WRDI

04 h (Yes – – – – Yes Yes 108)

источник 1

Input and output timing reference levels

0.9 V

источник 1

ス テー タ ス レ ジ ス タ 書き WRSR

01 h (– – – – 108)

источник 2

使能 DPI DPIEN

37 h (支持 – – – – – 支持 108)

источник 3

Enable QPI QPIEN

38 h (Yes – – – – Yes – 108)

источник 1

書き込みデ ィ ス エーブル WRDI

04 h (有 – – – – 有 有 108)

источник 2

書き込みイ ネーブル WREN

06 h (有 – – – – 有 有 108)

источник 2

Input pulse levels

0 V to 1.8 V

источник 1

DPI イ ネーブル DPIEN

37 h (有 – – – – – 有 108)

источник 2

❐ Core VCC

2.7 V to 3.6 V

источник 1

Quad Input Write QIW

32 h

источник 1

ISLEEP

85 °C (でのス リ ープ モー ド 電流 不揮発性のサ イ ク ルが完了 し た 後 – – 280.00 µA)

источник 2

fSCK ≤ 108MHz)

85 °C (でのス タ ンバイ電流 CS > (VCCQ – 0.2V)。 – – 280.00 µA)

источник 2

RSTEN

66 h (Yes – – – – Yes Yes 108)

источник 1

Write Status Register WRSR

01 h

источник 1

ク ア ッ ド 入力書き込み QIW

32 h

источник 2

读取 READ

03 h (支持 – – – – 支持 支持 40)

источник 3

入力パルス レ ベル

0 V (～ 1.8V)

источник 2

四输入写入操作 QIW

32 h (– – 支持 – – – – 108)

источник 3

❐ I/O VCCQ

1.71 V to 2.0 V

источник 1

QPI イ ネーブル QPIEN

38 h (有 – – – – 有 – 108)

источник 2

ス テー タ ス レ ジ ス タ 書き込み WRSR

01 h

источник 2

读取状态寄存器 RDSR

05 h (支持 – – – – 支持 支持 108)

источник 3

コ ン フ ィ ギ ュ レーシ ョ ン WRCR

87 h (– – – – – 108)

источник 2

写入 WRITE

02 h (支持 – – – – 支持 支持 108)

источник 3

写入 WRITE

02 h (口功能。)

источник 3

Write Configuration Register WRCR

87 h

источник 1

软件复位使能 RSTEN

66 h (支持 – – – – 支持 支持 108)

источник 3

ク ア ッ ド 入力書き込み QIW

32 h (– – 有 – – – – 108)

источник 2

IZZ

85 °C (でのハイバネー ト モー ド 電流 登録 さ れた後の tHIBEN 時間。すべて – – 8.00 µA)

источник 2

Read READ

03 h (Yes – – – – Yes Yes 40)

источник 1

使能 QPI QPIEN

38 h (支持 – – – – 支持 – 108)

источник 3

Enable DPI DPIEN

37 h (Yes – – – – – Yes 108)

источник 1

書き込み WRITE

02 h (能を制御 し ます。)

источник 2

❐ I/O VCCQ

1.71 V (～ 2.0V)

источник 2

❐ コ ア VCC

2.7 V (～ 3.6V)

источник 2

四线输入写入 QIW

32 h

источник 3

VOH

-2 mA (時の出力 HIGH 電圧 IOH = –2mA VCCQ – 0.45 – – V)

источник 2

写状态寄存器 WRSR

01 h

источник 3

Write WRITE

02 h (Yes – – – – Yes Yes 108)

источник 1

書き込み WRITE

02 h (有 – – – – 有 有 108)

источник 2

–40°C ～ +105°C 2.7V ～ 3.6V

1.71 V (～ 2.0V)

источник 2

RDCR

35 h (Yes – – – – Yes Yes 108)

источник 1

Источники

1. CY14V101QS

   страница товара; от производителя; издатель: Infineon; редакция: 2026-10-03

   Где в источнике: Software Reset RESET; Write WRITE; WRCR; Quad Input Write QIW; WRSR; Write Enable WREN; RDSR; Write Disable WRDI; Input and output timing reference levels; Enable QPI QPIEN; Input pulse levels; ❐ Core VCC; Quad Input Write QIW; RSTEN; Write Status Register WRSR; ❐ I/O VCCQ; Write Configuration Register WRCR; Read READ; Enable DPI DPIEN; Write WRITE; RDCR

2. CY14V101QS

   технический лист; от производителя; издатель: Infineon; редакция: 2026-10-03

   Где в источнике: 読み出 し READ; VOL; コ ン フ ィ ギ ュ レーシ ョ ン RDCR; ❐ デー タ 保持期間; ソフ トウェア リセッ ト RSTEN; ス テー タ ス レ ジ ス タ 読み RDSR; ス テー タ ス レ ジ ス タ 書き WRSR; 書き込みデ ィ ス エーブル WRDI; 書き込みイ ネーブル WREN; DPI イ ネーブル DPIEN; ISLEEP; fSCK ≤ 108MHz); ク ア ッ ド 入力書き込み QIW; 入力パルス レ ベル; QPI イ ネーブル QPIEN; ス テー タ ス レ ジ ス タ 書き込み WRSR; コ ン フ ィ ギ ュ レーシ ョ ン WRCR; ク ア ッ ド 入力書き込み QIW; IZZ; 書き込み WRITE; ❐ I/O VCCQ; ❐ コ ア VCC; VOH; 書き込み WRITE; –40°C ～ +105°C 2.7V ～ 3.6V

3. CY14V101QS

   страница товара; от производителя; издатель: Infineon; редакция: 2026-10-03

   Где в источнике: 输入脉冲电平; 写入配置寄存器 WRCR; ❐ 内核 VCC; 输入和输出时序参考电平; 写入状态寄存器 WRSR; 读取配置寄存器 RDCR; 写禁用 WRDI; 写入使能 WREN; 写入配置寄存器 WRCR; 使能 DPI DPIEN; 读取 READ; 四输入写入操作 QIW; 读取状态寄存器 RDSR; 写入 WRITE; 写入 WRITE; 软件复位使能 RSTEN; 使能 QPI QPIEN; 四线输入写入 QIW; 写状态寄存器 WRSR