CY14V101PS

Характеристики

Грузоподъёмность

нет данных

Вылет

нет данных

Повторяемость позиционирования

нет данных

Масса

нет данных

Степень защиты

нет данных

Характеристики из источника

Строки приведены так, как их печатает производитель: без перевода, пересчёта и сравнения.

Input pulse levels

0 V to 1.8 V

источник 1

写入 WRITE

02 h (有 – – – – 有 有 108)

источник 2

QPI イ ネーブル QPIEN

38 h (有 – – – – 有 – 108)

источник 3

Write Configuration Register WRCR

87 h

источник 1

DPI イ ネーブル DPIEN

37 h (有 – – – – – 有 108)

источник 3

读取 RTC RDRTC

56 h (有 – – – – 有 有 40)

источник 2

Write WRITE

02 h (controls interface functions.)

источник 1

输入脉冲电平

0 V (到 1.8 V)

источник 2

使能 QPI QPIEN

38 h (有 – – – – 有 – 108)

источник 2

ス テー タ ス レ ジ ス タ 書き WRSR

01 h (– – – – 108)

источник 3

Fast Read RTC FAST_RDRTC

57 h (Yes – – – – Yes Yes 108)

источник 1

Input and output timing reference levels

0.9 V

источник 1

Read READ

03 h (Yes – – – – Yes Yes 40)

источник 1

写入 WRITE

02 h (配置寄存器控制某些接口功能。)

источник 2

Write Status Register WRSR

01 h

источник 1

写状态寄存器 WRSR

01 h

источник 2

コ ン フ ィ ギ ュ レーシ ョ ン WRCR

87 h (– – – – – 108)

источник 3

❐ デー タ 保持期間

85 °C (で 20 年 の高いデー タ 記憶を不揮発性セルで実現 し ています。 SRAM か)

источник 3

ISB1

85 °C (でのス タ ンバイ電流 CS> (VCCQ – 0.2V).)

источник 3

❐ I/O VCCQ

1.71 V to 2.0 V

источник 1

Quad Input Write QIW

32 h (– – Yes – – – – 108)

источник 1

写禁用 WRDI

04 h (有 – – – – 有 有 108)

источник 2

❐ Core VCC

2.7 V to 3.6 V

источник 1

読み出 し READ

03 h (有 – – – – 有 有 40)

источник 3

WRSR

01 h (Yes – – – – Yes Yes 108)

источник 1

ク ア ッ ド 入力書き込み QIW

32 h

источник 3

Divider

1 Hz (发出。如果备用电压低于 VBAKFAIL，将设置 BPF 标志。即使 RTC)

источник 2

WRCR

87 h (Yes – – – – Yes – 108)

источник 1

输入和输出时序参考电平

0.9 V

источник 2

使能 DPI DPIEN

37 h (有 – – – – – 有 108)

источник 2

ス テー タ ス レ ジ ス タ 読み RDSR

05 h (– – – – 108)

источник 3

Software Reset RESET

99 h (Yes – – – – Yes Yes 108)

источник 1

VOL

2 mA (時の出力 LOW 電圧 IOL = 2mA – – 0.45 V)

источник 3

Write WRITE

02 h (Yes – – – – Yes Yes 108)

источник 1

写入配置寄存器 WRCR

87 h

источник 2

ク ア ッ ド 入力書き込み QIW

32 h (– – 有 – – – – 108)

источник 3

RDCR

35 h (Yes – – – – Yes Yes 108)

источник 1

❐ I/O VCCQ

1.71 V (～ 2.0V)

источник 3

PF

512 Hz (Pin 割り込みイネーブル)

источник 3

PF

512 Hz

источник 1

RSTEN

66 h (Yes – – – – Yes Yes 108)

источник 1

RTC 書き込み WRRTC

55 h (有 – – – – 有 有 108)

источник 3

写使能 WREN

06 h (有 – – – – 有 有 108)

источник 2

写入配置寄存器 WRCR

87 h (有 – – – – 有 – 108)

источник 2

VOH

-2 mA (時の出力 HIGH 電圧 IOH = –2mA – – V)

источник 3

書き込みイ ネーブル WREN

06 h (有 – – – – 有 有 108)

источник 3

Write Enable WREN

06 h (Yes – – – – Yes Yes 108)

источник 1

書き込み WRITE

02 h (有 – – – – 有 有 108)

источник 3

RTC 高速読み出 し FAST_RDRTC

57 h (有 – – – – 有 有 108)

источник 3

读取配置寄存器 RDCR

35 h (有 – – – – 有 有 108)

источник 2

Divider

1 Hz

источник 1

❐ 内核电压 VCC

2.7 V ~ 3.6 V

источник 2

ス テー タ ス レ ジ ス タ 書き込み WRSR

01 h

источник 3

入力パルス レ ベル

0 V (～ 1.8V)

источник 3

软件复位使能 RSTEN

66 h (有 – – – – 有 有 108)

источник 2

Enable QPI QPIEN

38 h (Yes – – – – Yes – 108)

источник 1

读取 READ

03 h (有 – – – – 有 有 40)

источник 2

コ ン フ ィ ギ ュ レーシ ョ ン RDCR

35 h (– – – – 108)

источник 3

四输入写入 QIW

32 h

источник 2

Oscillator Divider

1 Hz (ク ア ッ プ 電源に障害が生 じ た場合、 次の電源投入時にバ ッ ク)

источник 3

Write Disable WRDI

04 h (Yes – – – – Yes Yes 108)

источник 1

RDSR

05 h (Yes – – – – Yes Yes 108)

источник 1

❐ コ ア VCC

2.7 V (～ 3.6V)

источник 3

写入状态寄存器 WRSR

01 h (有 – – – – 有 有 108)

источник 2

Quad Input Write QIW

32 h

источник 1

ソフ トウェア リセッ ト RSTEN

66 h (– – – – 108)

источник 3

RTC 読み出 し RDRTC

56 h (有 – – – – 有 有 40)

источник 3

書き込み WRITE

02 h (能を制御 し ます。)

источник 3

Write RTC WRRTC

55 h (Yes – – – – Yes Yes 108)

источник 1

書き込みデ ィ ス エーブル WRDI

04 h (有 – – – – 有 有 108)

источник 3

ISB2

85 °C (でのス タ ンバイ電流 CS> (VCCQ – 0.2V).)

источник 3

ISLEEP

85 °C (でのス リ ープ モー ド 電流 不揮発性のサ イ ク ルが完了 し た後の – – 380 µA)

источник 3

IZZ

85 °C (でのハイバネー ト モー ド 電 録 さ れた後の tHIBEN 時間。すべての入 – – 8.00 µA)

источник 3

读取状态寄存器 RDSR

05 h (有 – – – – 有 有 108)

источник 2

❐ I/O 电压 VCCQ

1.71 V ~ 2.0 V

источник 2

Read RTC RDRTC

56 h (Yes – – – – Yes Yes 40)

источник 1

Enable DPI DPIEN

37 h (Yes – – – – – Yes 108)

источник 1

写入 RTC WRRTC

55 h (有 – – – – 有 有 108)

источник 2

四线输入写操作 QIW

32 h (– – 有 – – – – 108)

источник 2

Источники

1. CY14V101PS

   страница товара; от производителя; издатель: Infineon; редакция: 2026-10-03

   Где в источнике: Input pulse levels; Write Configuration Register WRCR; Write WRITE; Fast Read RTC FAST_RDRTC; Input and output timing reference levels; Read READ; Write Status Register WRSR; ❐ I/O VCCQ; Quad Input Write QIW; ❐ Core VCC; WRSR; WRCR; Software Reset RESET; Write WRITE; RDCR; PF; RSTEN; Write Enable WREN; Divider; Enable QPI QPIEN; Write Disable WRDI; RDSR; Quad Input Write QIW; Write RTC WRRTC; Read RTC RDRTC; Enable DPI DPIEN

2. CY14V101PS

   страница товара; от производителя; издатель: Infineon; редакция: 2026-10-03

   Где в источнике: 写入 WRITE; 读取 RTC RDRTC; 输入脉冲电平; 使能 QPI QPIEN; 写入 WRITE; 写状态寄存器 WRSR; 写禁用 WRDI; Divider; 输入和输出时序参考电平; 使能 DPI DPIEN; 写入配置寄存器 WRCR; 写使能 WREN; 写入配置寄存器 WRCR; 读取配置寄存器 RDCR; ❐ 内核电压 VCC; 软件复位使能 RSTEN; 读取 READ; 四输入写入 QIW; 写入状态寄存器 WRSR; 读取状态寄存器 RDSR; ❐ I/O 电压 VCCQ; 写入 RTC WRRTC; 四线输入写操作 QIW

3. CY14V101PS

   технический лист; от производителя; издатель: Infineon; редакция: 2026-10-03

   Где в источнике: QPI イ ネーブル QPIEN; DPI イ ネーブル DPIEN; ス テー タ ス レ ジ ス タ 書き WRSR; コ ン フ ィ ギ ュ レーシ ョ ン WRCR; ❐ デー タ 保持期間; ISB1; 読み出 し READ; ク ア ッ ド 入力書き込み QIW; ス テー タ ス レ ジ ス タ 読み RDSR; VOL; ク ア ッ ド 入力書き込み QIW; ❐ I/O VCCQ; PF; RTC 書き込み WRRTC; VOH; 書き込みイ ネーブル WREN; 書き込み WRITE; RTC 高速読み出 し FAST_RDRTC; ス テー タ ス レ ジ ス タ 書き込み WRSR; 入力パルス レ ベル; コ ン フ ィ ギ ュ レーシ ョ ン RDCR; Oscillator Divider; ❐ コ ア VCC; ソフ トウェア リセッ ト RSTEN; RTC 読み出 し RDRTC; 書き込み WRITE; 書き込みデ ィ ス エーブル WRDI; ISB2; ISLEEP; IZZ