Характеристики
- Грузоподъёмность
- нет данных
- Вылет
- нет данных
- Повторяемость позиционирования
- нет данных
- Масса
- нет данных
- Степень защиты
- нет данных
Характеристики из источника
Строки приведены так, как их печатает производитель: без перевода, пересчёта и сравнения.
- Low current consumption
- 9.5 mA
- Low noise figure
- 0.65 dB
- Insertion Loss in bypass mode
- 4.7 dB
- Insertion power gain
- 19.3 dB
- BGA5M1BN6
- 18 dB (High Gain Low Noise Amplifier for LTE Midband)
- Supply voltage
- 1.5 V to 3.6 V
Источники
- BGA5M1BN6
технический лист; от производителя; издатель: Infineon; редакция: 2026-10-02
Где в источнике: • Low current consumption; • Low noise figure; • Insertion Loss in bypass mode; • Insertion power gain; BGA5M1BN6; • Supply voltage