BGA5H1BN6

Характеристики

Грузоподъёмность

нет данных

Вылет

нет данных

Повторяемость позиционирования

нет данных

Масса

нет данных

Степень защиты

нет данных

Характеристики из источника

Строки приведены так, как их печатает производитель: без перевода, пересчёта и сравнения.

Supply voltage

1.5 V to 3.6 V

источник 1

Low current consumption

8.5 mA

источник 1

Insertion Loss in bypass mode

5.2 dB

источник 1

BGA5H1BN6

18 dB (High Gain Low Noise Amplifier for LTE Highba nd)

источник 1

Insertion power gain

18.1 dB

источник 1

Low noise figure

0.7 dB

источник 1

Источники

1. BGA5H1BN6

   технический лист; от производителя; издатель: Infineon; редакция: 2026-10-02

   Где в источнике: • Supply voltage; • Low current consumption; • Insertion Loss in bypass mode; BGA5H1BN6; • Insertion power gain; • Low noise figure