88Q111x

Характеристики

Грузоподъёмность

нет данных

Вылет

нет данных

Повторяемость позиционирования

нет данных

Масса

нет данных

Степень защиты

нет данных

Характеристики из источника

Строки приведены так, как их печатает производитель: без перевода, пересчёта и сравнения.

内蔵LDO

3.3 V (単一動作)

источник 1

バッテリー絶縁通信

12 V (〜 24 V のバッテリー管理システム (BMS))

источник 1

概要

600 V/1200 V (ウルトラソフトダイオード)

источник 2

概要

650 V (GaN HEMT 用ゲートドライバ IC)

источник 2

Overview

12 V-40 V (N-channel power MOSFETs)

источник 3

Overview

600 V/1200 V (ultra-soft diodes)

источник 3

Integrated LDO

3.3 V (only operation)

источник 4

概要

12 V (～40 V Nチャネル パワーMOSFET)

источник 2

Automotive MOSFET

30 V to 800 V

источник 3

シリコンカーバイド (SiC) ベースの MOSFETベアダイ

400 V (/ 440 VシリコンカーバイドMOSFET)

источник 1

Overview

12 V (high-side switches)

источник 3

車載用MOSFET

30 V (～800 V)

источник 1

Silicon carbide MOSFETs bare dies

400 V / 440 V (Silicon Carbide MOSFETs)

источник 3

Источники

1. 88Q111x

   страница товара; от производителя; издатель: Infineon; редакция: 2026-10-03

   Где в источнике: 内蔵LDO; バッテリー絶縁通信; シリコンカーバイド (SiC) ベースの MOSFETベアダイ; 車載用MOSFET

2. 88Q111x

   страница товара; от производителя; издатель: Infineon; редакция: 2026-10-03

   Где в источнике: 概要

3. 88Q111x

   страница товара; от производителя; издатель: Infineon; редакция: 2026-10-03

   Где в источнике: Overview; Automotive MOSFET; Silicon carbide MOSFETs bare dies

4. 88Q111x

   страница товара; от производителя; издатель: Infineon; редакция: 2026-10-03

   Где в источнике: Integrated LDO