Характеристики
- Грузоподъёмность
- нет данных
- Вылет
- нет данных
- Повторяемость позиционирования
- нет данных
- Масса
- нет данных
- Степень защиты
- нет данных
Характеристики из источника
Строки приведены так, как их печатает производитель: без перевода, пересчёта и сравнения.
- IPN50R950CE
- 500 V (CoolMOS CE Superjunction MOSFET in PG-SOT223 package)
- LO1,2,3
- 3 V
- IKD04N60R / RF
- 600 V (TRENCHSTOP™ IGBT with integrated diode in PG-TO252-3 package)
- IPD65R950CFD
- 650 V (CoolMOS CFD2 with integrated fast body diode in DPAK)
- 英飞凌 6EDL04x06xT 和 6EDL04N02PR 系列
- 200 V (和 600 V 三相栅极驱动器,配备过流保护 (OCP)、使能 (EN)、故障和)
- IKD06N65ET6
- 650 V (TRENCHSTOP™ IGBT with integrated diode in DPAK)
- EN EN VS1,2,3
- 5 V
- Dimensions
- 80.0 × 80.0 × 1.5 mm (³ λtherm)
Источники
- 英飞凌 6EDL04x06xT 和 6EDL04N02PR 系列
технический лист; от производителя; издатель: Infineon; редакция: 2026-10-02
Где в источнике: IPN50R950CE; LO1,2,3; IKD04N60R / RF; IPD65R950CFD; 英飞凌 6EDL04x06xT 和 6EDL04N02PR 系列; IKD06N65ET6; EN EN VS1,2,3; Dimensions