Характеристики
- Грузоподъёмность
- нет данных
- Вылет
- нет данных
- Повторяемость позиционирования
- нет данных
- Масса
- нет данных
- Степень защиты
- нет данных
Характеристики из источника
Строки приведены так, как их печатает производитель: без перевода, пересчёта и сравнения.
- IPD65R950CFD
- 650 V (CoolMOS CFD2 with integrated fast body diode in DPAK)
- IKD04N60R / RF
- 600 V (TRENCHSTOP™ IGBT with integrated diode in PG-TO252-3 package)
- IKD06N65ET6
- 650 V (TRENCHSTOP™ IGBT with integrated diode in DPAK)
- HO1,2,3
- 3 V
- tFLT
- 0.5 V (1V)
- MT ON
- 90 %
- IKD06N60RC2
- 600 V
- IPN60R1K0PFD7S
- 600 V (CoolMOS™ PFD7 superjunction MOSFET in SOT-223)
- LO1,2,3
- 3 V
- EN EN VS1,2,3
- 5 V
- output
- 3 V
- IPN50R950CE
- 500 V (CoolMOS CE Superjunction MOSFET in PG-SOT223 package)
- LO
- 10 % (10% LO)
- HO
- 10 %
- LO
- 10 %
Источники
- 6EDL04 family
технический лист; от производителя; издатель: Infineon; редакция: 2026-10-02
Где в источнике: IPD65R950CFD; IKD04N60R / RF; IKD06N65ET6; HO1,2,3; tFLT; LO1,2,3; EN EN VS1,2,3; output; IPN50R950CE
- 6EDL04 family
страница товара; от производителя; издатель: Infineon; редакция: 2026-10-03
Где в источнике: MT ON; LO; HO
- 6EDL04 family
страница товара; от производителя; издатель: Infineon; редакция: 2026-10-03
Где в источнике: IKD06N60RC2; IPN60R1K0PFD7S