60A Integrated PowIRstage IR3550

Характеристики

Грузоподъёмность

нет данных

Вылет

нет данных

Повторяемость позиционирования

нет данных

Масса

нет данных

Степень защиты

нет данных

Характеристики из источника

Строки приведены так, как их печатает производитель: без перевода, пересчёта и сравнения.

IL

10 A (/div)

источник 1

PWM

2 V (/div)

источник 1

SW

20 V (/div)

источник 1

SW

5 V (/div)

источник 1

temperature is 125°C, as shown in Figure 9. If only

105 °C

источник 1

VCC 3

3.3 V

источник 1

≤ 25mV

0.8 V (≤ V(REFIN) ≤ 2.25V,)

источник 1

Thermal Resistance, Junction to Top (θJC_TOP)

14.3 °C (/W)

источник 1

PQFN, 32 Lead 100 IR3550MPBF

6mm x 6 mm

источник 1

Thermal Resistance, Junction to PCB (pin 17) (θJB)

1.9 °C (/W)

источник 1

SW

10 V (/div)

источник 1

GATEL

10 V (/div)

источник 1

Thermal Resistance (θJA)

20.2 °C (/W)

источник 1

Output voltage low VPHASFLT#_OL

4 mA (150 300 mV)

источник 1

Maximum Storage Temperature Range

-65°C to 150 °C

источник 1

Maximum Operating Junction Temperature

-40 to 150 °C

источник 1

3V for 20ns,

1 A (for 100ns, 1A for 100ns,)

источник 1

V(REFIN)

2 V (/div)

источник 1

GAETL

10 V (/div)

источник 1

≤ 25mV, 0°C ≤ TJ ≤ 125°C

0.5 V (≤ V(REFIN) ≤ 2.25V,)

источник 1

0.3V DC

90 A (Peak 35A Peak)

источник 1

BBRK#

1 V (/div)

источник 1

0.3V DC

200 mA (DC 200mA DC)

источник 1

ambient temperature is equivalent to 44.5°C + (125°C

105 °C

источник 1

lands depending on stencil thickness. Reducing

75 % (area of solder on the center pad. If too much)

источник 1

BBRK#

2 V (/div)

источник 1

Reference, Diode

3.3 V

источник 1

Tri-State

4.75 V (< V(BOOST)-V(SW) <)

источник 1

Efficiency (%)

4.5V to 7 V

источник 1

Differential Input Range VD_IN

0.8 V (≤ V(REFIN) ≤ 2.25V, -10 25 mV)

источник 1

PWM

5 V (/div)

источник 1

Reflow Temperature

260 °C

источник 1

POR

3.3 V (10 SW)

источник 1

GATEL

5 V (/div)

источник 1

PQFN, 32 Lead 3000 IR3550MTRPBF

6mm x 6 mm

источник 1

Источники

1. 60A Integrated PowIRstage® IR3550

   технический лист; от производителя; издатель: Infineon; редакция: 2026-10-02

   Где в источнике: IL; PWM; SW; temperature is 125°C, as shown in Figure 9. If only; VCC 3; ≤ 25mV; Thermal Resistance, Junction to Top (θJC_TOP); PQFN, 32 Lead 100 IR3550MPBF; Thermal Resistance, Junction to PCB (pin 17) (θJB); GATEL; Thermal Resistance (θJA); Output voltage low VPHASFLT#_OL; Maximum Storage Temperature Range; Maximum Operating Junction Temperature; -3V for 20ns,; V(REFIN); GAETL; ≤ 25mV, 0°C ≤ TJ ≤ 125°C; -0.3V DC; BBRK#; ambient temperature is equivalent to 44.5°C + (125°C -; lands depending on stencil thickness. Reducing; Reference, Diode; Tri-State; Efficiency (%); Differential Input Range VD_IN; Reflow Temperature; POR; PQFN, 32 Lead 3000 IR3550MTRPBF