RoboMap
Модель

Infineon 32-Bit

Производитель: Infineon

74
характеристик
5
источников

О модели

Infineon 32-Bit - модель производителя Infineon.

74 характеристики приведены словами производителя, без пересчёта.

Сведения на странице взяты из 5 источников, у каждого значения указан свой.

Характеристики

Грузоподъёмность
нет данных
Вылет
нет данных
Повторяемость позиционирования
нет данных
Масса
нет данных
Степень защиты
нет данных

Характеристики из источника

Строки приведены так, как их печатает производитель: без перевода, пересчёта и сравнения.

6 - 6 LSB 12-bit Resolution; TJ ≤
150 °C

источник 1

Banks
2 x 3 MB

источник 2

Ay; solderable EPad size
6.7 mm (± 50 μm)

источник 3

range including load/line
200 mA (; fDCDC = 1MHz)

источник 1

Program Flash Size
16 MB

источник 4

LQFP-176 (0.5 mm) Ey; nominal EPad size
7.5 mm (± 50 μm)

источник 3

fSYS_SCR =
70 kHz (; TJ=25°C)

источник 4

input buffer enabled; TJ
≤ 150 °C

источник 4

Extension Memory TCM
2 MB

источник 4

XCM
2 MB

источник 4

Switching frequency ΔfDCSPR CC
1.8 % (- MHz)

источник 2

Data Flash Size (single-ended)
1 MB ((DF0) + 128 KB (DF1))

источник 4

supply value
50 V (/ms for VEXT, VDDP3)

источник 4

buffer enabled; TJ ≤
150 °C

источник 2

IDDDC=ISLEEP; VEXT >
2.97 V (; TJ=25°C)

источник 4

Banks
2 x 2 MB

источник 3

Program Flash Size
6 MB

источник 2

output accuracy after trimming
230 mA (; fDCDC = 1MHz)

источник 1

Switching frequency modulation ΔfDCSPR CC
1.8 % (- MHz)

источник 4

including load/line regulation and
5.5 V (; IDDDC ≥ 1mA ;)

источник 2

Program Flash Size
4 MB

источник 3

Program Flash Size
2 MB

источник 5

I/O Type
5 V (CMOS / 3.3 V CMOS)

источник 5

Switching frequency modulation ΔfDCSPR CC
10.74 % (- Hz 3 clock spreading @)

источник 5

TQFP-144 (0.4 mm) Ex; nominal EPad size
8.7 mm (± 50 μm)

источник 3

except VGATE1N and TJ >
150 °C

источник 4

supply value
50 V (/ms for VEXT, VDDP3 and)

источник 2

26 - 26 mV dI < 100mA ; IDDDC=50
500 mA (; tr=0.1us; tf=0.1us;)

источник 3

released before. ISTART
< 700 mA (.)

источник 4

EAOFF CC -6 - 6 LSB 12-bit Resolution; TJ >
150 °C

источник 1

Ey; nominal EPad size
8.7 mm (± 50 μm)

источник 2

output accuracy after trimming
5.5 V (; IDDDC ≥ 1mA ;)

источник 4

MBIST
< 6 ms (. MTU)

источник 4

有助于避免在电源缓慢上升期间，由于复位释放时压降/电流跳跃而导致的多个连续的冷 PORST 事件。引脚的复位限制为
2.97 V

источник 5

the boot time
1.2 V (≤ VDD)

источник 4

regulator
1.17 V (; fDCDC = 1MHz)

источник 1

I/O Type
5 V (CMOS / 3.3 V CMOS / LVDS)

источник 4

5.5 - 5.5 LSB 12-bit Resolution; TJ ≤
150 °C

источник 1

CC
3.6 to 5 V (; IMAX=60mA;)

источник 4

released before. ISTART
< 350 mA (.)

источник 3

< IIN
< 5 mA

источник 2

CC
5.5 V (; IDDDC ≥ 300mA ;)

источник 2

response dVIN CC
2.97 - 5.5 V (; IDDDC=50-)

источник 2

down diagnostics;
5 mA (< IIN < 0mA)

источник 4

12.5 - 12.5 mV dV/dT=1V/ms; dV <
2.97 - 5.5 V (; IDDDC=50-)

источник 4

280 mV dVin/dT=50V/ms; dV=
3.6 to 5 V (; IMAX=60mA)

источник 4

response CC
2.97 - 5.5 V (; IDDDC=50-)

источник 4

I/O Type
3.3 V (CMOS (5V input supported on ADC pins))

источник 1

Ax; solderable EPad size
7.9 mm (± 50 μm)

источник 2

Banks
5 x 3 MB (, 1 x 1 MB)

источник 4

VAIN = VAREF; VDDM =
5.0 V (; input buffer)

источник 2

fSRI/SPB = 1 MHz; TJ =
55 °C

источник 1

resistance
±2.5 % (.)

источник 4

Ay; solderable EPad size
7.9 mm (± 50 μm)

источник 2

5 - 5 LSB 12-bit Resolution; TJ ≤
150 °C

источник 1

initialization; VDD =
1.375 V (.)

источник 4

divider; TJ =
25 °C

источник 4

LPDIV divider; TJ =
25 °C

источник 2

Ripple; dVEXT < 2.97
5.5 V

источник 5

165 - - mV dVin/dT=50V/ms; dV=
5 to 3.6 V (; IMAX=60mA)

источник 4

voltage; IDDSTART <
170 mA (; VDDSTART)

источник 5

Ax; solderable EPad size
6.7 mm (± 50 μm)

источник 3

Banks
1 x 2 MB

источник 5

range including load/line
5.5 V (; IDDDC ≥ 1mA ;)

источник 4

电气规格参数
3.3 V (焊盘)

источник 1

Ex; nominal EPad size
8.7 mm (± 50 μm)

источник 2

ripple / 2) ; VEXT = 5V+
10 % (; IDDDC = 10 mA -)

источник 5

strong sharp edge; from
0.8V to 2.0 V ((RMII))

источник 2

ripple / 2) ; VEXT =
3.3 V (+-10%; IDDDC = 10)

источник 5

fback inactive; fSYS_SCR =
70 kHz (; TJ=25°C)

источник 5

LQFP-144 (0.5 mm) and Ex; nominal EPad size
7.5 mm (± 50 μm)

источник 3

26 - 26 mV dI < 100mA ; IDDDC=50
1500 mA (; tr=0.1us;)

источник 4

to-peak) 3)
230 mA (; fDCDC = 1MHz)

источник 1

LBIST
1.2 V (≤ VDD)

источник 4

Источники

  1. 英飞凌32 位

    страница товара; от производителя; издатель: Infineon; редакция: 2026-10-03

    Где в источнике: -6 - 6 LSB 12-bit Resolution; TJ ≤; range including load/line; output accuracy after trimming; EAOFF CC -6 - 6 LSB 12-bit Resolution; TJ >; regulator; -5.5 - 5.5 LSB 12-bit Resolution; TJ ≤; I/O Type; fSRI/SPB = 1 MHz; TJ =; -5 - 5 LSB 12-bit Resolution; TJ ≤; 电气规格参数; to-peak) 3)

  2. 英飞凌32 位

    страница товара; от производителя; издатель: Infineon; редакция: 2026-10-02

    Где в источнике: Banks; Switching frequency ΔfDCSPR CC -; buffer enabled; TJ ≤; Program Flash Size; including load/line regulation and; supply value; Ey; nominal EPad size; < IIN; CC; response dVIN CC; Ax; solderable EPad size; VAIN = VAREF; VDDM =; Ay; solderable EPad size; LPDIV divider; TJ =; Ex; nominal EPad size; strong sharp edge; from

  3. 英飞凌32 位

    страница товара; от производителя; издатель: Infineon; редакция: 2026-10-03

    Где в источнике: Ay; solderable EPad size; LQFP-176 (0.5 mm) Ey; nominal EPad size; Banks; Program Flash Size; TQFP-144 (0.4 mm) Ex; nominal EPad size; -26 - 26 mV dI < 100mA ; IDDDC=50-; released before. ISTART; Ax; solderable EPad size; LQFP-144 (0.5 mm) and Ex; nominal EPad size

  4. 英飞凌32 位

    технический лист; от производителя; издатель: Infineon; редакция: 2026-10-02

    Где в источнике: Program Flash Size; fSYS_SCR =; input buffer enabled; TJ; Extension Memory TCM; XCM; Data Flash Size (single-ended); supply value; IDDDC=ISLEEP; VEXT >; Switching frequency modulation ΔfDCSPR CC -; except VGATE1N and TJ >; released before. ISTART; output accuracy after trimming; MBIST; the boot time; I/O Type; CC; down diagnostics; -; -12.5 - 12.5 mV dV/dT=1V/ms; dV <; - - 280 mV dVin/dT=50V/ms; dV=; response CC; Banks; resistance; initialization; VDD =; divider; TJ =; -165 - - mV dVin/dT=50V/ms; dV=; range including load/line; -26 - 26 mV dI < 100mA ; IDDDC=50-; LBIST

  5. 英飞凌32 位

    страница товара; от производителя; издатель: Infineon; редакция: 2026-10-03

    Где в источнике: Program Flash Size; I/O Type; Switching frequency modulation ΔfDCSPR CC -; 有助于避免在电源缓慢上升期间，由于复位释放时压降/电流跳跃而导致的多个连续的冷 PORST 事件。引脚的复位限制为; Ripple; dVEXT < 2.97 -; voltage; IDDSTART <; Banks; ripple / 2) ; VEXT = 5V+-; ripple / 2) ; VEXT =; fback inactive; fSYS_SCR =

Производитель и семейство

Производитель
Infineon

Нашли ошибку в данных? Сообщите нам, и мы проверим источник.