RoboMapХарактеристики
- Грузоподъёмность
- нет данных
- Вылет
- нет данных
- Повторяемость позиционирования
- нет данных
- Масса
- нет данных
- Степень защиты
- нет данных
Характеристики из источника
Строки приведены так, как их печатает производитель: без перевода, пересчёта и сравнения.
- between OUT+/CLAMP and VCC2
- 500 mA (, t < 10 µs)
- IN- VEE2 4µ7
- -8 V
- CoolSiC™ SiC IMBF170R650M1
- 1700 V (, 650 mΩ SiC MOSFET in TO263-7 package)
- TRENCHSTOP™ IKWH40N65WR6
- 650 V (, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247-3-HCC)
- input
- 2 V
- IHW30N160R5
- 1600 V (, 30 A IGBT Discrete with anti-parallel diode in TO-247)
- IMBG120R045M1H
- 1200 V (, 45 mΩ SiC MOSFET in TO263-7 package)
- IMBG120R030M1H
- 1200 V (, 30 mΩ SiC MOSFET in TO-263-7 package)
- IMZA120R014M1H
- 1200 V (, 14 mΩ SiC MOSFET in TO247-4 package)
- IKW15N120CS7
- 1200 V (IGBT7 S7, 15 A IGBT with anti-parallel diode in TO247)
- IKQ75N120CS7
- 1200 V (IGBT7 S7, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO247-3)
- IMZ120R350M1H
- 1200 V (, 350 mΩ SiC MOSFET in TO247-4 package)
- VCC2
- +15 V
- CoolSiC™ SiC IMBF170R1K0M1
- 1700 V (, 1000 mΩ SiC MOSFET in TO-263-7 with extended creepage)
- IMYH200R012M1H
- 2000 V (, 12 mΩ SiC MOSFET in TO-247-PLUS with high creepage)
- IN VCC2
- +15 V
- IMZA120R040M1H
- 1200 V (, 40 mΩ SiC MOSFET in TO247-4 package)
Источники
- 1ED31xxMC12H (1ED-X3 Compact)
технический лист; от производителя; издатель: Infineon; редакция: 2026-10-03
Где в источнике: between OUT+/CLAMP and VCC2; IN- VEE2 4µ7; TRENCHSTOP™ IKWH40N65WR6; input; IHW30N160R5; IMBG120R030M1H; IMZA120R014M1H; IKW15N120CS7; IKQ75N120CS7; VCC2; CoolSiC™ SiC IMBF170R1K0M1; IMYH200R012M1H; IN VCC2; IMZA120R040M1H
- 1ED31xxMC12H (1ED-X3 Compact)
страница товара; от производителя; издатель: Infineon; редакция: 2026-10-03
Где в источнике: CoolSiC™ SiC IMBF170R650M1; IMBG120R045M1H; IMZ120R350M1H