Sapphire XT 532

Характеристики

Грузоподъёмность

нет данных

Вылет

нет данных

Повторяемость позиционирования

нет данных

Масса

нет данных

Степень защиты

нет данных

Характеристики из источника

Строки приведены так, как их печатает производитель: без перевода, пересчёта и сравнения.

Rise Time

≤ 20 µs

источник 1

Overshoot

< 5% (constant over set-power range)

источник 1

Beam Asymmetry

0.9 – 1.1

источник 1

M2 (Beam Quality)

≤1.1

источник 1

RMS Noise (20 Hz to 2 MHz)

≤ 0.25 %

источник 1

Power Supply Voltage

12 V +/- 10%

источник 1

Laser Safety Classification

4

источник 1

Rise Time

≤ 80 µs

источник 1

Beam Angle (mrad)

< 2.5

источник 1

Beam Waist Location

± 200 mm from front

источник 1

Power Modulation Frequency

10 Hz to 20 kHz

источник 1

Wavelength1

532 ±2 nm

источник 1

Output Power2

1000 mW

источник 1

Fall Time

≤ 20 µs

источник 1

Power Modulation Frequency

10 Hz to 10 kHz

источник 1

Polarization Ratio

Minimum 100:1, Vertical ±5°

источник 1

Power Set Range

2 – 110 %

источник 1

Power Consumption

< 63 W (startphase), < 42 W in normal operating condition

источник 1

Power Supply

4-Pin Molex

источник 1

Modulation Depth

≥ 50:1

источник 1

Beam Diameter at 1/e2

0.7 ± 0.05 mm

источник 1

Spatial Mode

TEM00

источник 1

Источники

1. Optically Pumped Semiconductor Laser Platform

   технический лист; от производителя; издатель: Coherent; редакция: 2026-10-02

   Где в источнике: Rise Time; Overshoot; Beam Asymmetry; M2 (Beam Quality); RMS Noise (20 Hz to 2 MHz); Power Supply Voltage; Laser Safety Classification; Beam Angle (mrad); Beam Waist Location; Power Modulation Frequency; Wavelength1; Output Power2; Fall Time; Polarization Ratio; Power Set Range; Power Consumption; Power Supply; Modulation Depth; Beam Diameter at 1/e2; Spatial Mode