Sapphire XT 488

Характеристики

Грузоподъёмность

нет данных

Вылет

нет данных

Повторяемость позиционирования

нет данных

Масса

нет данных

Степень защиты

нет данных

Характеристики из источника

Строки приведены так, как их печатает производитель: без перевода, пересчёта и сравнения.

Power Modulation Frequency

10 Hz to 10 kHz

источник 1

Polarization Ratio

Minimum 100:1, Vertical ±5°

источник 1

M2 (Beam Quality)

≤1.1

источник 1

Rise Time

≤ 80 µs

источник 1

Modulation Depth

≥ 50:1

источник 1

Output Power2

1000 mW

источник 1

RMS Noise (20 Hz to 2 MHz)

≤ 0.25 %

источник 1

Power Supply

4-Pin Molex

источник 1

Beam Waist Location

± 200 mm from front

источник 1

Spatial Mode

TEM00

источник 1

Power Consumption

< 63 W (startphase), < 42 W in normal operating condition

источник 1

Power Modulation Frequency

10 Hz to 20 kHz

источник 1

Power Set Range

2 – 110 %

источник 1

Beam Angle (mrad)

< 2.5

источник 1

Laser Safety Classification

4

источник 1

Beam Asymmetry

0.9 – 1.1

источник 1

Beam Diameter at 1/e2

0.7 ± 0.05 mm

источник 1

Overshoot

< 5% (constant over set-power range)

источник 1

Wavelength1

488 ±2 nm

источник 1

Power Supply Voltage

12 V +/- 10%

источник 1

Rise Time

≤ 20 µs

источник 1

Fall Time

≤ 20 µs

источник 1

Источники

1. Optically Pumped Semiconductor Laser Platform

   технический лист; от производителя; издатель: Coherent; редакция: 2026-10-02

   Где в источнике: Power Modulation Frequency; Polarization Ratio; M2 (Beam Quality); Rise Time; Modulation Depth; Output Power2; RMS Noise (20 Hz to 2 MHz); Power Supply; Beam Waist Location; Spatial Mode; Power Consumption; Power Set Range; Beam Angle (mrad); Laser Safety Classification; Beam Asymmetry; Beam Diameter at 1/e2; Overshoot; Wavelength1; Power Supply Voltage; Fall Time