Характеристики
- Грузоподъёмность
- нет данных
- Вылет
- нет данных
- Повторяемость позиционирования
- нет данных
- Масса
- нет данных
- Степень защиты
- нет данных
Характеристики из источника
Строки приведены так, как их печатает производитель: без перевода, пересчёта и сравнения.
- CIE-M3T445MMH128GW
- 128 GB
- CIE-M3T445MOH512GW
- 512 GB (*)
- Power Consumption
- Active mode: < 4.65W, Idle mode: < 0.72W
- CIE-M3T445MMH256GW
- 256 GB
- Capacity
- 128GB/256GB/512GB/1TB
- Active mode
- < 4.65 W (, Idle mode: < 0.72W)
- Sequential Read
- up to 5,090MB/s
- Connector
- M.2 2230 (M)
- CIE-M3T445MOH001TW
- 1 TB
- Sequential Write
- up to 4,740MB/s
- Supply Voltage
- 3.3V DC +/-5%
- Interface
- PCIe Gen 4x4
- Form Factor
- M.2 2230
- MTBF
- >3,000,000 hours
- NAND Flash Type
- 3D TLC
- CIE-M3T445MNH512GW
- 512 GB
- CIE-M3T445MLH128GW
- 128 GB
- Operating Temperature
- Wide Temp.: – 40°C ~ 85°C
- Dimension (LxWxH/mm)
- 30.00 x 22.00 x 3.50
- Terabyte Written (TBW)
- 128GB : 234, 256GB : 469, 512GB : 938, 1TB : 1875
- CIE-M3T445MNH256GW
- 256 GB (*)
Источники
- M.2 2230 (M key) Embedded Module - T445
страница товара; от производителя; издатель: Cervoz; редакция: 2026-10-02
Где в источнике: CIE-M3T445MMH128GW; CIE-M3T445MOH512GW; Power Consumption; CIE-M3T445MMH256GW; Capacity; Active mode; Sequential Read; Connector; CIE-M3T445MOH001TW; Sequential Write; Supply Voltage; Interface; Form Factor; MTBF; NAND Flash Type; CIE-M3T445MNH512GW; CIE-M3T445MLH128GW; Operating Temperature: Wide Temp.; Dimension (LxWxH/mm); Terabyte Written (TBW); CIE-M3T445MNH256GW