M.2 2230 (A+E key) Embedded Module - T445

Характеристики

Грузоподъёмность

нет данных

Вылет

нет данных

Повторяемость позиционирования

нет данных

Масса

нет данных

Степень защиты

нет данных

Характеристики из источника

Строки приведены так, как их печатает производитель: без перевода, пересчёта и сравнения.

CIE-M3T445MNH512GW-A

512 GB

источник 1

Connector

M.2 2230 (A+E)

источник 1

CIE-M3T445MOH001TW-A

1 TB

источник 1

Supply Voltage

3.3V DC +/-5%

источник 1

CIE-M3T445MLH128GW-A

128 GB

источник 1

CIE-M3T445MNH256GW-A

256 GB (*)

источник 1

Power Consumption

Active mode: < 2,000mW, Idle mode: < 290mW

источник 1

MTBF

>3,000,000 hours

источник 1

CIE-M3T445MMH128GW-A

128 GB

источник 1

Form Factor

M.2 2230

источник 1

Operating Temperature

Wide Temp.: – 40°C ~ 85°C

источник 1

Sequential Read

up to 1,865MB/s

источник 1

Sequential Write

up to 1,740MB/s

источник 1

CIE-M3T445MMH256GW-A

256 GB

источник 1

Interface

PCIe Gen 4x2

источник 1

Terabyte Written (TBW)

128GB : 234, 256GB : 469, 512GB : 938, 1TB : 1875

источник 1

Dimension (LxWxH/mm)

30.00 x 22.00 x 3.50

источник 1

NAND Flash Type

3D TLC

источник 1

Capacity

128GB/ 256GB/ 512GB/ 1TB

источник 1

CIE-M3T445MOH512GW-A

512 GB (*)

источник 1

Источники

1. M.2 2230 (A+E key) Embedded Module - T445

   страница товара; от производителя; издатель: Cervoz; редакция: 2026-10-02

   Где в источнике: CIE-M3T445MNH512GW-A; Connector; CIE-M3T445MOH001TW-A; Supply Voltage; CIE-M3T445MLH128GW-A; CIE-M3T445MNH256GW-A; Power Consumption; MTBF; CIE-M3T445MMH128GW-A; Form Factor; Operating Temperature: Wide Temp.; Sequential Read; Sequential Write; CIE-M3T445MMH256GW-A; Interface; Terabyte Written (TBW); Dimension (LxWxH/mm); NAND Flash Type; Capacity; CIE-M3T445MOH512GW-A